12月22日消息，據(jù)報道，韓國兩大存儲芯片巨頭三星與SK海力士正加快內(nèi)存生產(chǎn)，以應對來自AI的需求。

報道稱，三星電子近期不僅提升了韓國國內(nèi)DRAM和NAND閃存的產(chǎn)線利用率，更重點擴大了高帶寬內(nèi)存（HBM）等高端產(chǎn)品的產(chǎn)出。

另外三星在11月決定平澤五廠恢復施工，預定2028年開始量產(chǎn)，以強化該公司的滿足先進存儲芯片需求的能力。

至于SK海力士，其位于清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準備投產(chǎn)，該廠將聚焦于DRAM和其他AI導向的存儲產(chǎn)品。

業(yè)界高層表示，SK海力士正試圖趕在原定的2027年前，完成位于龍仁半導體園區(qū)內(nèi)的首座晶圓廠，該設施規(guī)模相當于六座M15X晶圓廠。

由于AI相關需求預期在未來幾年持續(xù)激增，產(chǎn)能被視為競爭力的關鍵決定因素，根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，全球DRAM市場規(guī)模預計在2026年前達到1700億美元，高于2024年的1000億美元。