9月1日消息，據(jù)韓國科學(xué)技術(shù)評估與規(guī)劃研究院（KISTEP）最新報告，中國在多個芯片領(lǐng)域超越韓國。
目前，中國在全球半導(dǎo)體技術(shù)排名中位居第二，僅次于美國，幾乎在所有技術(shù)領(lǐng)域都領(lǐng)先韓國，包括存儲芯片和先進(jìn)封裝技術(shù)。
中國在高密度電阻存儲技術(shù)方面的得分達(dá)到了94.1%，超過了韓國的90.9%；在AI芯片領(lǐng)域，中國的得分也高達(dá)88.3%，高于韓國的84.1%。
不過分析人士認(rèn)為，在存儲芯片方面，韓國的三星和SK海力士在DRAM、NAND和HBM芯片的產(chǎn)能、技術(shù)及研發(fā)歷史方面仍領(lǐng)先中國廠商。
此外三星已經(jīng)能夠制造3nm芯片，并計劃在2025年實現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，其先進(jìn)封裝技術(shù)也是全球領(lǐng)先水平。
部分分析人士認(rèn)為，韓國在全球半導(dǎo)體市場的優(yōu)勢正在逐漸消退，中國芯片的崛起將對全球半導(dǎo)體格局帶來深遠(yuǎn)影響。
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