《電子技術(shù)應(yīng)用》
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長(zhǎng)鑫科技超群技術(shù)能力比肩頂尖院校

IEDM 2025見(jiàn)證中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)步
2025-10-06
來(lái)源:長(zhǎng)鑫科技
關(guān)鍵詞: 長(zhǎng)鑫科技 存儲(chǔ) IEEE


近日,全球半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì)”——IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)2025年入選論文名單公布。本次會(huì)議,中國(guó)力量表現(xiàn)尤為亮眼,論文總數(shù)再創(chuàng)新高,充分展現(xiàn)了我國(guó)在半導(dǎo)體前沿技術(shù)研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新能力。

IEDM學(xué)術(shù)高地,中國(guó)科研持續(xù)突破

IEDM在國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)界享有崇高學(xué)術(shù)地位和廣泛影響力,是英特爾、IBM、TSMC、IMEC等產(chǎn)業(yè)巨頭和頂尖研發(fā)機(jī)構(gòu)報(bào)告其最新研究成果和技術(shù)突破的主要平臺(tái)。根據(jù)已公布的信息,北京大學(xué)以21篇論文的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)蟬聯(lián)全球第一,同時(shí),中國(guó)內(nèi)地機(jī)構(gòu)共計(jì)入選67篇論文,科研力量呈現(xiàn)百花齊放態(tài)勢(shì),中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、清華大學(xué)、南京大學(xué)等高校院所均貢獻(xiàn)了重要研究成果。

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兩項(xiàng)尖端技術(shù)領(lǐng)跑,長(zhǎng)鑫打通“學(xué)術(shù)-產(chǎn)業(yè)”轉(zhuǎn)化路,位列第一

在企業(yè)陣營(yíng)中,長(zhǎng)鑫科技(CXMT)成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“高光代表”——以2篇論文入選的成績(jī)領(lǐng)跑?chē)?guó)內(nèi)企業(yè),聚焦的3D FeRAM(鐵電存儲(chǔ)器)與新型多層堆疊DRAM兩大技術(shù)方向,均直擊未來(lái)存儲(chǔ)領(lǐng)域核心痛點(diǎn)。

技術(shù)研究上,長(zhǎng)鑫科技實(shí)現(xiàn)了“雙首次”:在3D FeRAM領(lǐng)域,首次達(dá)成單片集成的堆疊式鐵電存儲(chǔ),為低功耗、非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用筑牢技術(shù)根基;在DRAM領(lǐng)域,展示全球首個(gè)BEOL集成的多層DRAM架構(gòu),成功為突破傳統(tǒng)DRAM的密度與性能瓶頸開(kāi)辟新路徑。DRAM產(chǎn)品在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域本就相較Nand產(chǎn)品具有更高的技術(shù)要求和科研難度,長(zhǎng)鑫科技兩項(xiàng)技術(shù)研究在國(guó)際學(xué)術(shù)舞臺(tái)獲得認(rèn)可,將進(jìn)一步拉開(kāi)與存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)內(nèi)其他廠(chǎng)商的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),通過(guò)技術(shù)硬實(shí)力鎖定未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力。

這一系列成果標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在前沿技術(shù)探索中,正從“跟跑”加速邁向“并跑”,未來(lái)部分領(lǐng)域甚至實(shí)現(xiàn)“領(lǐng)跑”。而長(zhǎng)鑫科技的實(shí)踐,更為國(guó)內(nèi)企業(yè)打通“學(xué)術(shù)論文到產(chǎn)業(yè)成果”的轉(zhuǎn)化通道提供了可借鑒的范本。

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夯實(shí)基礎(chǔ)研發(fā),鑄就產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)競(jìng)爭(zhēng)力

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起,始終以基礎(chǔ)研究為壓艙石。IEDM上的亮眼表現(xiàn),正是國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期投入科研的集中體現(xiàn)——國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等國(guó)家級(jí)項(xiàng)目的持續(xù)支持,以及國(guó)家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)的搭建,為科研創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)保障。

值得關(guān)注的是,在技術(shù)突破的同時(shí),長(zhǎng)鑫科技正積極推進(jìn) IPO進(jìn)程。依托3D FeRAM、多層堆疊DRAM等領(lǐng)先技術(shù)加持,其企業(yè)投資價(jià)值已成為資本市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn),進(jìn)一步凸顯中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)“技術(shù)+產(chǎn)業(yè)”雙輪驅(qū)動(dòng)的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

從高校學(xué)術(shù)優(yōu)勢(shì)鞏固,到企業(yè)技術(shù)落地加速,本次IEDM清晰展現(xiàn)了中國(guó)半導(dǎo)體“產(chǎn)學(xué)研”協(xié)同并進(jìn)的格局。這一態(tài)勢(shì)不僅為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球競(jìng)爭(zhēng)中贏得更多主動(dòng)權(quán),更為行業(yè)未來(lái)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展注入了強(qiáng)勁的確定性。


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