EDA與制造相關(guān)文章 華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利 華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利 發(fā)表于：2/5/2024 蘋果已完成70萬公里自動駕駛汽車測試 蘋果的神秘汽車項目已經(jīng)悄悄進行了六年，外界對其進展幾乎一無所知。不過，最近蘋果向加州一家機構(gòu)提交的記錄揭示了自動駕駛項目的最新動態(tài)。 數(shù)據(jù)顯示， 2023年，蘋果在公共道路上的自動駕駛測試里程約72萬公里，幾乎較2022年增加了三倍，比2021年更是增加了30多倍。 發(fā)表于：2/5/2024 ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經(jīng)濟選擇 ASML 首席財務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應(yīng)了分析機構(gòu) SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來最經(jīng)濟的選擇。 發(fā)表于：2/4/2024 1c納米內(nèi)存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料 根據(jù)韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。 分析機構(gòu) TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。 鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。 發(fā)表于：2/4/2024 三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗 根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。 發(fā)表于：2/4/2024 美加企業(yè)合作開發(fā)移動核電廠 2月1日消息，據(jù)媒體報道，美國西屋公司（Westinghouse）和加拿大Prodigy公司正在合作開發(fā)基于西屋5000千瓦熱管微堆eVinci的移動核電廠。 據(jù)了解，兩家公司自2019年以來一直在合作評估eVinci的部署模式。在2019—2020年一家跨國礦業(yè)公司資助的研究中，Prodigy評估是否能將eVinci部署到海岸設(shè)施中，用于為偏遠的礦山供電。 Prodigy公司專注于將商用小型模塊堆集成到海上電廠系統(tǒng)，用于沿海發(fā)電，與陸上相比，海上建造小型模塊堆電站具有成本更低和工期更短的優(yōu)勢。 發(fā)表于：2/1/2024 OpenAI加速造芯：奧特曼赴韓與三星SK談合作 OpenAI加速造芯：奧特曼赴韓與三星SK談合作，此前已會見英特爾、臺積電 發(fā)表于：2/1/2024 美國半導(dǎo)體大廠將10億美元制造業(yè)務(wù)從中國撤出 據(jù)國外媒體報道稱，美國知名半導(dǎo)體大廠泰瑞達去年從中國撤出了價值大約10億美元的制造業(yè)務(wù)，而這對他們來說是一個艱難的決定。 蘇州工廠是泰瑞達半導(dǎo)體測試設(shè)備的主要生產(chǎn)基地，在截至去年10月1日的三個月中，中國市場占泰瑞達營收的12%，低于上年同期的16%。 發(fā)表于：1/31/2024 藍箭航天回應(yīng)“爆炸傳聞”：正常試驗 僅3人擦傷 1 月 30 日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，昨日晚間，有網(wǎng)友稱上海市松江區(qū)發(fā)生爆炸，是藍箭航天試驗所致。 1 月 30 日，藍箭航天向媒體證實了這一說法，藍箭航天表示，" 這是正常試驗，并無網(wǎng)上流傳爆炸的說法 "。 藍箭航天介紹，1 月 29 日 19 點 30 分，800 所（上海航天精密機械研究所）在室外低溫試驗工位開展了商業(yè)航天貯箱低溫靜力爆破試驗。 發(fā)表于：1/31/2024 使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究 在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個關(guān)鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數(shù)百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像一片瑞士奶酪。在這些工藝步驟中，很難實現(xiàn)側(cè)壁剖面控制，因為刻蝕工藝中深寬比較高，且存儲單元孔需要極大的深度。因此，刻蝕工藝中可能會出現(xiàn)彎折、扭曲等偏差。從堆疊層頂部到底部，存儲單元孔直徑和孔間隔可存在最高25%的偏差。 發(fā)表于：1/30/2024 我國首款嵌套式霍爾推力器成功點火運行 據(jù)中國航天科技集團六院上?？臻g推進研究所消息，近日，該所研制的 50 千瓦級雙環(huán)嵌套式霍爾推力器成功實現(xiàn)點火和穩(wěn)定運行，試驗驗證了推力器內(nèi)、外環(huán)單環(huán)點火和雙環(huán)同時點火能力。 據(jù)介紹，這是國內(nèi)首款 50 千瓦級雙環(huán)嵌套式霍爾推力器，其成功點火運行標志著我國成為世界上第三個實現(xiàn)嵌套式霍爾電推進技術(shù)突破的國家。 發(fā)表于：1/30/2024 我國自研AES100渦軸發(fā)動機完成整機結(jié)冰適航試驗 據(jù)中國航空發(fā)動機集團(中國航發(fā))官方披露，作為我國自主研制的先進民用渦軸發(fā)動機，AES100已經(jīng)圓滿完成整機結(jié)冰適航試驗。 這標志著，該發(fā)動機適航技術(shù)取得重要突破，填補了國內(nèi)空白。 發(fā)表于：1/30/2024 2023 年中國鋰電池出口額再創(chuàng)新高 中國化學(xué)與物理電源行業(yè)協(xié)會發(fā)布統(tǒng)計稱，2023 年 1-12 月我國鋰離子電池累積出口額為 650.07 億美元，2022 年同期為 508.76 億美元，同比增長 27.8%，創(chuàng)下新高 發(fā)表于：1/30/2024 柴油引擎測試造假，豐田暫停10款車出貨 據(jù)臺灣“中央社”1月29日報道，日本豐田汽車公司29日宣布，由于集團旗下的豐田自動織機制作所生產(chǎn)柴油引擎的認證測試過程存在違規(guī)操作，因此決定暫停受到影響的10款車型的出貨。 發(fā)表于：1/30/2024 美媒：拜登推芯片補貼效果難料 據(jù)美國《華爾街日報》網(wǎng)站1月27日報道，隨著選舉臨近，拜登政府急于強調(diào)一項標志性的經(jīng)濟舉措，預(yù)計將在未來幾周向英特爾、臺灣積體電路制造股份有限公司(臺積電)和其他主要半導(dǎo)體公司提供數(shù)十億美元的補貼，以幫助它們建造新工廠。 報道稱，這些補貼是530億美元的《芯片與科學(xué)法》的一部分，該法案旨在將先進微芯片的生產(chǎn)遷回美國本土，并避開正在快速發(fā)展自身芯片行業(yè)的國家。 發(fā)表于：1/30/2024 ?…142143144145146147148149150151…?
