頭條 全球首款主動安全AI電芯量產 7 月 27 日消息，7 月 23 日，德賽電池主動安全電芯?系統(tǒng)量產全球發(fā)布會在湖南長沙召開，此次發(fā)布會推出主動安全 AI 電芯和主動安全儲能系統(tǒng)解決方案。據悉，這也是全球首款主動安全 AI 電芯量產。 最新資訊 程控直流電源的設計 LM317是一款輸出可變電壓的三端穩(wěn)壓塊，通過調節(jié)控制端電壓，而改變輸出端的電壓，LM317的控制端電壓與輸出端電壓的基準電壓約為1.25V. 只要給輸出端-1.25-13.75V的電壓值，我們就可以得到0-15V的輸出電壓?？刂贫穗妷何覀兛梢酝ㄟ^單片機最小系統(tǒng)實現智能控制，將DA信號運算放大調整到-1.25-13.75V。 發(fā)表于：12/17/2011 一種MID電源管理解決方案 MID(mobile Internet Devices)是一種結合行動電話、數字相機與平板計算機的行動上網裝置。AME的LDO、Step-Down DC/DC Converter可提供穩(wěn)定的電源與高轉換效率，并具有OCP、OTP保護設計，提高產品的穩(wěn)定性與效能，讓使用者能體驗MID行動上網帶來的便利與影音享受。 發(fā)表于：12/17/2011 改變電源頻率降低EMI性能 本文這種方法涉及了對電源開關頻率的調制，以引入邊帶能量，并改變窄帶噪聲到寬帶的發(fā)射特征，從而有效地衰減諧波峰值。需要注意的是，總體EMI性能并沒有降低，只是被重新分布了。 發(fā)表于：12/17/2011 茅于海：深入分析LED光衰的重要原因 現在大家開始意識到，光衰是大功率LED路燈不能長期工作的主要原因，也開始認識到降低光衰的一個重要方法就是改進其散熱。盡管如此，從這次深圳市燈光環(huán)境管理中心對各種路燈的測試結果來看，仍然有大多數路燈的光衰是不能滿足使用要求的。 發(fā)表于：12/17/2011 多電源系統(tǒng)的監(jiān)控和時序控制 現今，電子系統(tǒng)往往具有許多不同的電源軌。在采用模擬電路和微處理器、DSP、ASIC、FPGA的系統(tǒng)中，尤其如此。為實現可靠、可重復的操作，必須監(jiān)控各電源電壓的開關時序、上升和下降速率、加電順序以及幅度。既定的電源系統(tǒng)設計可能包括電源時序控制、電源跟蹤、電源電壓/電流監(jiān)控和控制。 發(fā)表于：12/17/2011 二級保護器件協(xié)助功率系統(tǒng)防止熱失控引起的損壞 我們家庭、辦公室和車輛中電力電子應用的持續(xù)增長，推動著走向新材料和更高效率電源組件這一趨勢的發(fā)展。高功率、高溫的應用帶來了對電力電子系統(tǒng)更大的需求，從而導致了器件因長期暴露在各種惡劣環(huán)境中出現故障而引起潛在的多種嚴重熱問題的可能各種。因此，現在大多數工業(yè)電子和消費電子設備中采用了熱保護器件，以提高可靠性和安全性。 發(fā)表于：12/17/2011 功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應用 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為UPS 功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。 發(fā)表于：12/17/2011 高效率雙通道同步降壓型控制器提供完整的 DDR 電源解決方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 標準要求 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率雙輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3876，該器件為 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未來的標準存儲器應用產生 VDDQ 電源電壓、VTT 總線終端電壓和 VTTR 基準電壓。第一個通道的輸出產生 VDDQ，并可在電流高達 25A 時，在 2.5V 直至 1V 的范圍內設定 VDDQ。第二個通道的輸出產生 VTT，并提供卓越的負載調節(jié)準確度和效率。一個內部 LDO 提供準確度為 ±1.2% 的 VTTR 基準。VTT 和 VTTR 均可用一個內部電阻分壓器設定為等于 VDDQ 電源電壓的一半，并在 1.25V 至 0.5V 的范圍內工作，以支持所有 DDR 標準。VTT 電源能提供對稱的輸出電流能力，在 VTT 為 ±25A (提供 / 吸收) ，而在 VTTR 則為 ±50mA。 發(fā)表于：12/16/2011 雙ARM7SoC參考設計實現多電壓AVS 電壓調節(jié)技術與頻率調節(jié)技術的結合使用為時鐘切換添加了新原則，以確保新時鐘頻率擁有安全的電壓電平。此外，電壓調節(jié)功能需要在SoC內創(chuàng)建電壓域。這將在兩個可變電壓域之間或可變電壓域和靜態(tài)電壓域之間創(chuàng)建電壓域接口?？缭浇涌诘目勺冸妷弘娖讲顬榻涌谠O計帶來了獨特挑戰(zhàn)。時鐘、信號電平轉換以及電壓域隔離等問題都必須仔細考慮，以確保最短延遲和信號完整性。 發(fā)表于：12/16/2011 電源設計小貼士 41：DDR 內存電源 CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統(tǒng)時鐘頻率升高至千兆赫茲級別。在這些高時鐘頻率下，阻抗控制、正確的總線終止和最小交叉耦合，帶來高保真度的時鐘信號。傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對一個時鐘沿的數據計時，而雙倍數據速率(DDR) 內存同時對時鐘的前沿和下降沿計時。它使數據通過速度翻了一倍，且系統(tǒng)功耗增加極少。 發(fā)表于：12/16/2011 ?…1115111611171118111911201121112211231124…?
