單端反激電路在逆變電源中的應(yīng)用

本文介紹了一種采用多管并聯(lián)和能量回饋技術(shù)的單端反激電路，該電路在低壓供電的逆變電源中使用，具有電路簡(jiǎn)單、效率高、穩(wěn)定可靠等特點(diǎn)。

發(fā)表于：11/24/2011

變頻器諧波干擾及抑制

由于變頻器中普遍有晶閘管、整流二極管及大功率IGBT開(kāi)關(guān)等非線(xiàn)性元器件，在使用中會(huì)產(chǎn)生大量諧波，從而干擾周?chē)娖髡＿\(yùn)行。如果變頻器的干擾問(wèn)題解決不好，不但系統(tǒng)無(wú)法可靠運(yùn)行，還會(huì)影響其他電子、電氣設(shè)備的正常工作，因此有必要對(duì)變頻器應(yīng)用系統(tǒng)中的干擾問(wèn)題進(jìn)行探討。

發(fā)表于：11/24/2011

大功率LED路燈照明驅(qū)動(dòng)電源的優(yōu)化設(shè)計(jì)

本文針對(duì)以上問(wèn)題優(yōu)化了LED路燈驅(qū)動(dòng)電源電路。采用了HV9910這款靈活簡(jiǎn)單的LED驅(qū)動(dòng)器IC提供電源，PWM自動(dòng)調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)恒流輸出，穩(wěn)壓管過(guò)壓鎖定實(shí)現(xiàn)空載保護(hù)，電磁隔離和光隔離實(shí)現(xiàn)隔離輸出。

發(fā)表于：11/24/2011

基于UC3842/UC3843的隔離單端反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

開(kāi)關(guān)電源以其高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)獲得了廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源普遍采用電壓型脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)，而近年電流型PWM技術(shù)得到了飛速發(fā)展。相比電壓型PWM，電流型PWM具有更好的電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，系統(tǒng)的穩(wěn)定性和動(dòng)態(tài)特性也得以明顯改善，特別是其內(nèi)在的限流能力和并聯(lián)均流能力使控制電路變得簡(jiǎn)單可靠。

發(fā)表于：11/24/2011

開(kāi)關(guān)電源電感器的選擇方法

開(kāi)關(guān)電源一直以來(lái)都是電源業(yè)的主要產(chǎn)品。但是，隨著全球?qū)Ω吣苄Мa(chǎn)品需求的不斷增加，傳統(tǒng)上采用更廉價(jià)但低能效的線(xiàn)性電源市場(chǎng)也將轉(zhuǎn)向采用開(kāi)關(guān)電源。在這一過(guò)渡時(shí)期，電源業(yè)為提高開(kāi)關(guān)頻率而不懈努力，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)功率更大、占用空間更小的電源的要求。這種發(fā)展趨勢(shì)為開(kāi)關(guān)電源開(kāi)啟了新的市場(chǎng)，并使部分設(shè)計(jì)工程師面臨市場(chǎng)對(duì)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的需求。

發(fā)表于：11/24/2011

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用

下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！?/a>

采用Nios的電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)解決方案

本文將SoPC技術(shù)應(yīng)用到電力領(lǐng)域，在FPGA中嵌入了32位NiosⅡ軟核系統(tǒng)。可實(shí)現(xiàn)對(duì)電能信號(hào)的采集、處理、存儲(chǔ)與顯示等功能，實(shí)現(xiàn)了實(shí)時(shí)系統(tǒng)的要求。

發(fā)表于：11/24/2011

基于ECRL電路的兩種改進(jìn)絕熱電路

傳統(tǒng)絕熱電路ECRL(Efficient Charge Recovery Logic)有兩個(gè)缺點(diǎn)，其一是電路節(jié)點(diǎn)能量不能被完全回收；其二是電路的功耗隨著負(fù)載電容的增大而增加。對(duì)此提出了兩種改進(jìn)型電路，一種是構(gòu)造一條能量回收通路，使得未回收的能量通過(guò)構(gòu)造的通路得到回收，用有限的絕熱損失實(shí)現(xiàn)非絕熱能量的完全回收；另一種是通過(guò)自舉操作使得電路的非絕熱過(guò)程僅涉及電容較小的驅(qū)動(dòng)MOSFET管，與負(fù)載電容不直接相關(guān)。采用0.5 μm BSIM3v3模型工藝的HSPICE對(duì)上述電路進(jìn)行仿真，結(jié)果表明，與ECRL電路相比，兩種改進(jìn)型電路的功耗均有一定程度的降低。

發(fā)表于：11/23/2011

電源設(shè)計(jì)小貼士38：使用簡(jiǎn)易鎖存電路保護(hù)電源

您曾經(jīng)是否需要過(guò)一款簡(jiǎn)單、低成本的鎖存電路？圖1 顯示的就是這樣一款電路，它只需幾元錢(qián)的組件便可以提供電源故障保護(hù)，基本上是一個(gè)可控硅整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件。兩個(gè)晶體管正常情況下為關(guān)閉狀態(tài)。若想開(kāi)啟鎖存，您需要將 PNP 基極驅(qū)動(dòng)為低電平，或者將 NPN 基極驅(qū)動(dòng)為高電平，直至其中一個(gè)晶體管開(kāi)啟。這樣會(huì)形成集電極電流，讓另一個(gè)晶體管也開(kāi)啟，從而進(jìn)一步開(kāi)啟初始晶體管。電路以一種再生方式執(zhí)行鎖存操作。電流僅受限于電源阻抗和晶體管特性，從而允許電路對(duì)電容器快速放電。

發(fā)表于：11/23/2011

防爆變頻器的問(wèn)題考慮與決策

由于該變頻器所使用的環(huán)境有爆炸性氣體或粉塵較多，這就要求變頻器密封防爆，所以它的外殼不能用普通的殼體，必需用標(biāo)準(zhǔn)的防爆腔，把變頻器所有的元件都裝在防爆腔內(nèi)。在防爆腔門(mén)上開(kāi)一個(gè)觀察窗，把顯示部分裝在上面，把啟動(dòng)、停止、調(diào)速控制裝在防爆腔門(mén)上。

發(fā)表于：11/23/2011