頭條 英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 最新資訊 IntersilISL911x高度集成1.2A升降壓電源解決方案 Intersil公司的ISL9110和ISL9112是高度集成升降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源,輸入電壓可高于或低于輸出電壓,并可在降壓和升壓模式無(wú)縫轉(zhuǎn)換,輸入電壓1.8V-5.5V,輸出電流1.2A,效率高達(dá)95%,靜態(tài)電流35uA,開(kāi)關(guān)頻率2.5MHz,I2C接口,主要應(yīng)用在單個(gè)鋰電池的3.3V穩(wěn)壓器,智能手機(jī)和平板電腦,手持設(shè)備和POL穩(wěn)壓器.本文介紹了ISL9110和ISL9112主要特性,方框圖,幾種典型應(yīng)用電路圖,以及ISL9110IRTNZ/IRT7Z/IRTAZ-EVAL1Z評(píng)估板主要特性,電路圖和相應(yīng)的材料清 發(fā)表于：8/29/2011 一種DC/DC變換器中差分延遲線(xiàn)ADC的實(shí)現(xiàn) 文中介紹了一種無(wú)需外部時(shí)鐘、可抵消部分工藝偏差的差分延遲線(xiàn)ADC，并對(duì)其建模。該ADC結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制信號(hào)在內(nèi)部產(chǎn)生、轉(zhuǎn)換速率快、功耗低，可應(yīng)用在高頻數(shù)字DC/DC控制芯片中。在0.13μmCMOS工藝下仿真表明，在采樣電壓0.7～1.5V范圍內(nèi)，該ADC輸出沒(méi)有明顯偏移，線(xiàn)性度良好。 發(fā)表于：8/29/2011 PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路設(shè)計(jì) 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。 發(fā)表于：8/29/2011 混合動(dòng)力車(chē)進(jìn)入鋰離子時(shí)代(下) 電流的輸入輸出量達(dá)到4倍同樣，在發(fā)動(dòng)機(jī)和馬達(dá)之間配置離合器的并聯(lián)混合動(dòng)力系統(tǒng)還有德國(guó)大眾（Volkswage... 發(fā)表于：8/29/2011 如何在便攜式產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)高效電源變換 Q1：我們?cè)谑褂弥行枰玫?2V的電源，但使用的蓄電池會(huì)在12V上下波動(dòng)，曾看到一篇文章介紹有三種方法解決此類(lèi)問(wèn)題... 發(fā)表于：8/29/2011 電容在電腦電源穩(wěn)定性方面的作用分析 電源是一臺(tái)電腦的核心部件，雖然價(jià)值不高，但是所有電腦部件都要依靠開(kāi)關(guān)電源適配器提供能量，所以一臺(tái)電源的穩(wěn)定性就會(huì)影響到電腦的穩(wěn)定工作。 發(fā)表于：8/29/2011 詳解手機(jī)鋰電池正確使用方法 電池是手機(jī)電能的來(lái)源，也就是手機(jī)的動(dòng)力，沒(méi)有電池的供電，手機(jī)也就是一塊廢鐵，一塊高容量高性能的電池，不僅可以給手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間的續(xù)航能力，而且也可以保護(hù)手機(jī)的電路，使得手機(jī)能夠長(zhǎng)時(shí)間高效率的工作，反之則很有可能會(huì)使手機(jī)出現(xiàn)意想不到的損壞。 發(fā)表于：8/28/2011 石墨烯－硫復(fù)合材料在鋰離子電池的應(yīng)用 大量的研究表明，硫在高容量電池中是一種很有前途的負(fù)極材料，并且價(jià)格低廉，對(duì)環(huán)境影響小。但硫的導(dǎo)電性能差... 發(fā)表于：8/28/2011 SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì) 利用SiC寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了寬帶高功率放大器，工作頻率帶寬500~2000MHz,輸出功率超過(guò)100W,通過(guò)對(duì)放大器進(jìn)行性能測(cè)試，發(fā)現(xiàn)SiC寬禁帶功率器件具有工作頻帶寬的優(yōu)勢(shì)。測(cè)試結(jié)果表明利用該方法設(shè)計(jì)寬帶功率放大器是可行的，SiC寬禁帶功率器件具有較寬的工作帶寬。 發(fā)表于：8/28/2011 PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路圖 在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱(chēng)為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。 發(fā)表于：8/28/2011 ?…1240124112421243124412451246124712481249…?
