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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

儀器儀表應(yīng)用：變頻器工作原理

主電路是給異步電動(dòng)機(jī)提供調(diào)壓調(diào)頻電源的電力變換部分，變頻器的主電路大體上可分為兩類[1]:電壓型是將電壓源的直流變換為交流的變頻器，直流回路的濾波是電容。電流型是將電流源的直流變換為交流的變頻器，其直流回路濾波是電感。它由三部分構(gòu)成，將工頻電源變換為直流功率的“整流器”，吸收在變頻器和逆變器產(chǎn)生的電壓脈動(dòng)的“平波回路”，以及將直流功率變換為交流功率的“逆變器”。

發(fā)表于：5/11/2011

一種電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的電源規(guī)劃

為了對(duì)所開發(fā)的電子產(chǎn)品進(jìn)行保護(hù)，采用ASIC的方法設(shè)計(jì)基于硬加密技術(shù)的電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片。在后端物理設(shè)計(jì)中，為了使最終的芯片實(shí)現(xiàn)面積優(yōu)化且滿足功耗、時(shí)序等要求，采用預(yù)設(shè)計(jì)的方法對(duì)芯片進(jìn)行功耗預(yù)估與布線擁塞分析。根據(jù)分析結(jié)果提高了芯片利用率，并針對(duì)預(yù)設(shè)計(jì)中存在的電壓降(IR Drop)違規(guī)進(jìn)行了詳細(xì)的電源規(guī)劃，包括全局電源網(wǎng)絡(luò)的連接、電源環(huán)和電源條的設(shè)計(jì)，最終滿足了功耗要求，實(shí)現(xiàn)了時(shí)序收斂以及面積優(yōu)化。

發(fā)表于：5/11/2011

Vishay Siliconix 推出工作頻率超過(guò)1MHz的高效集成DrMOS解決方案

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。

發(fā)表于：5/10/2011

奧地利微電子面向鋰離子電池供電的移動(dòng)應(yīng)用推出新型微電源管理集成電路

全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計(jì)者及制造商奧地利微電子公司（SIX 股票代碼：AMS）推出高度集成的電源管理集成電路（PMIC） AS3605。該產(chǎn)品專為單節(jié)鋰離子電池供電的便攜式設(shè)備所設(shè)計(jì)，片上集成了7個(gè)低壓差穩(wěn)壓器（LDO）、一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器、一個(gè)完整的電池充電器、一個(gè)LED背光驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)音頻功率放大器。

發(fā)表于：5/10/2011

有關(guān)手機(jī)充電系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)及解決方案[圖]

本文首先討論手機(jī)充電系統(tǒng)面臨的一些主要問(wèn)題，然后針對(duì)這些問(wèn)題提出了對(duì)應(yīng)的措施，以幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：5/10/2011

電源備自投裝置測(cè)試儀必要性

備用電源自投裝置可以提高供電的可靠性和連續(xù)性，但生產(chǎn)實(shí)際中應(yīng)用的許多備自投裝置由于運(yùn)行方式和邏輯關(guān)系不符合要求，而無(wú)法正式投入運(yùn)行，從運(yùn)行方式和邏輯關(guān)系等方面確保電源自投裝置正確性，其中手段之一是對(duì)電源自投裝置進(jìn)行全面的檢驗(yàn)。在目前的生產(chǎn)實(shí)際中對(duì)電源自投裝置的檢驗(yàn)沒(méi)有專門測(cè)試儀，一般測(cè)試借用其它鋪助裝置進(jìn)行，這樣就存在許多測(cè)試不準(zhǔn)，漏項(xiàng)、配合困難等，從而埋下安全隱患，這是電力生產(chǎn)中是不允許的。

發(fā)表于：5/10/2011

變頻器運(yùn)行中諧波問(wèn)題及對(duì)策

通用變頻器的主電路形式一般由整流、逆變和濾波三部分組成。整流部分為三相橋式不可控整流器，中間濾波部分采用大電容作為濾波器，逆變部分為IGBT三項(xiàng)橋式逆變器，且輸入為PWM波形。輸出電壓中含有除基波以外的其它諧波，較低次諧波通常對(duì)電動(dòng)機(jī)負(fù)載影響較大，引起轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)；而較高的諧波又使變頻器輸出電纜的漏電流增加，使電動(dòng)機(jī)出力不足，因此變頻器輸出的高低次諧波都必須抑制，可以采用以下方法抑制諧波。

發(fā)表于：5/10/2011

Linear LTCR4270 12端口90W PSE控制方案

Linear公司的LTCR4270/LTC4271芯片組是12端口PSE控制器,專為IEEE802.3atType1andType2大功率兼容的PoE系統(tǒng)而設(shè)計(jì),采用變壓器隔離通信協(xié)議來(lái)替代昂貴的光耦合器,可提供PD的最大功率為90W,支持兩對(duì)和4對(duì)輸出功率,1MHzI2C兼容的串行控制接口,主要用在PoEPSE交換/路由器和PoEPSE中跨.本文介紹了LTCR4270/LTC4271主要特性,典型應(yīng)用電路和PoE系統(tǒng)框圖.

發(fā)表于：5/10/2011

具有帶隙結(jié)構(gòu)的遲滯比較器電路設(shè)計(jì)

基于LED驅(qū)動(dòng)的微功耗DC—DC轉(zhuǎn)換器，針時(shí)低壓高穩(wěn)定性的要求設(shè)計(jì)了一款具有帶隙結(jié)構(gòu)的遲滯比較器電路，它的最低輸入電壓為1．2 V，其核心電路有帶隙基準(zhǔn)比較器、射極跟隨器和遲滯比較囂。整個(gè)電路采用Bipolar工藝設(shè)計(jì)，利用HSpice軟件對(duì)所設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行了仿真與驗(yàn)證。結(jié)果表明，遲滯比較器的遲滯電壓為8 mV，翻轉(zhuǎn)門限電壓隨輸入電壓和溫度的變化均很小。

發(fā)表于：5/10/2011

基于AVR單片機(jī)的核磁共振儀床體檢測(cè)系統(tǒng)

本設(shè)計(jì)以通用醫(yī)療集團(tuán)的Ovation5型核磁共振儀的床體為對(duì)象，對(duì)驅(qū)動(dòng)床體做橫向運(yùn)動(dòng)的直流步進(jìn)電機(jī)和驅(qū)動(dòng)床體做縱向運(yùn)動(dòng)的直流伺服電機(jī)的精確控制問(wèn)題進(jìn)行較為深入的分析和研究。系統(tǒng)主要采用了ATMEL公司的Atmega128單片機(jī)和ALTRA公司的EPM240T100型CPLD芯片作為主控制部分，實(shí)現(xiàn)了對(duì)床體縱向和橫向運(yùn)動(dòng)的精確控制和檢測(cè)。主控電路采用了全數(shù)字控制方式和抗干擾設(shè)計(jì)，具有很高的抗干擾性能。

發(fā)表于：5/10/2011

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