頭條 英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日,德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(總部位于德國諾伊比貝格,以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)今日宣布,與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 最新資訊 開關(guān)電源電磁干擾濾波器 關(guān)電源由于功耗小效率高,體積小,重量輕,穩(wěn)壓范圍廣,電路形式靈活等特點(diǎn),廣泛地應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信等各類電子設(shè)備。但是隨著開關(guān)電源的小型化,開關(guān)就要高頻化,這種高頻化,其基波本身也就構(gòu)成了一個(gè)干擾源,發(fā)出一種更強(qiáng)的傳導(dǎo)干擾波,此外通過改進(jìn)元器件達(dá)到高頻化的同時(shí),也會(huì)因輻射干擾波而導(dǎo)致一種超標(biāo)準(zhǔn)值的雜散的信號(hào)。 發(fā)表于:1/3/2011 基于PQ35的開關(guān)電源設(shè)計(jì)及制作 這里介紹的3 00 W開關(guān)電源屬于隔離型硬開關(guān)、半橋式開關(guān)電源,在較低電壓(1 4V)和較大電流(2 2A)輸出的條件下有很好的效率及輸出指標(biāo),對(duì)核心器件(例如高頻變壓器)進(jìn)行了合理的參數(shù)及繞制工藝設(shè)計(jì)。 發(fā)表于:1/3/2011 高效率可防篡改的電表電源設(shè)計(jì) 本文將介紹如何使用Power IIntegrations的LinkSwitch-XT產(chǎn)品系列來設(shè)計(jì)防篡改電表,并可在滿載的情況下實(shí)現(xiàn)高效率。 發(fā)表于:1/3/2011 效率高達(dá)96%的降壓/升壓型DC/DC穩(wěn)壓器解決方案 降壓型和升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決了單向電壓轉(zhuǎn)換問題,它們總是調(diào)節(jié)分別低于或高于輸入電源的電壓。然而,如果輸入電源出現(xiàn)高于、等于或低于輸出電壓的變化,如何準(zhǔn)確調(diào)節(jié)電壓呢?人們一直在用不同和更加復(fù)雜的 DC/DC 拓?fù)鋪斫鉀Q這個(gè)問題。 發(fā)表于:1/3/2011 用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究 介紹有源電力濾波器設(shè)計(jì)中EXB84l型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)原理和電路特點(diǎn),對(duì)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻進(jìn)行了探討,給出過流保護(hù)和過壓吸收的有效辦法。樣機(jī)試運(yùn)行證明此種設(shè)計(jì)方案可靠、有效。 發(fā)表于:1/3/2011 采用光反饋控制白光LED的降壓穩(wěn)壓器 由于大功率、高效率白光(以及其它顏色)LED的實(shí)現(xiàn),采用LED的照明更受關(guān)注。由于LED是一種電流控制器件,典型控制電路是調(diào)節(jié)通過LED的電流來保持一致的亮度。 發(fā)表于:1/3/2011 DC-DC轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)手機(jī)電池電力的高效率 您是否曾遇到過這樣的情況,非常渴望打最后一個(gè)電話,但又知道手機(jī)電池可能會(huì)在呼叫期間隨時(shí)斷電?當(dāng)您電池的最后一焦耳電能被耗盡時(shí),功耗和效率就將真正呈現(xiàn)出新含義。 發(fā)表于:1/3/2011 車載應(yīng)用中的電流檢測(cè)技術(shù) 要求電流檢測(cè)的車載應(yīng)用車載應(yīng)用中的電流檢測(cè)包括控制通過螺線管和噴射器的電流。例如,在柴油噴射時(shí),我們用48V或更高的電壓迅速地將感應(yīng)噴射器的電流提高到20安培。 發(fā)表于:1/3/2011 將變頻器改造成UPS的可行性 目前,市場(chǎng)上常用的備用電源有發(fā)電機(jī)組、UPS、EPS等產(chǎn)品,至于它們?nèi)N供電方案以及衍生方案并不能保證電源100%不間斷。本文的內(nèi)容是筆者根據(jù)工作幾年來從事EPS及UPS項(xiàng)目總結(jié)出來的。 發(fā)表于:1/3/2011 MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中,很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系,如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響,以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。這里將論述這些問題,同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。 發(fā)表于:1/3/2011 ?…1514151515161517151815191520152115221523…?