InGaAs/GaAs多量子阱近紅外光探測結構設計與表征
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>854 K
標簽： InGaAs/GaAs 多量子阱 紅外
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文檔介紹：介紹了用于近紅外光探測的InGaAs三元化合物材料體系，并通過數學軟件編寫求解出InGaAs/GaAs單量子阱有限深勢阱的波函數方程。根據計算結果，設計出InGaAs/GaAs多量子阱結構，之后采用分子束外延技術完成了高質量外延片結構的研制，通過雙晶X射線衍射等分析手段，推算出多量子阱結構中In的組分，勢壘與勢阱的厚度等參數與理論設計一致，具有很好的近紅外探測器研制價值。
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