一种带短路保护的磁隔离IGBT驱动架构
所屬分類：技术论文
上傳者：wwei
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標(biāo)簽： 短路保护 磁隔离 隔离IGBT驱动架构
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文檔介紹：设计一种带短路保护的磁隔离IGBT驱动架构，该架构采用变压器隔离，集成去饱和检测电路、米勒钳位电路和软关断，当IGBT发生短路故障退出饱和区，便对器件执行软关断，并通过米勒钳位电路抑制栅极电压尖峰。同时通过故障反馈通道将故障信号反馈给前级控制器，实现对短路故障的快速响应。仿真和实测结果表明，本架构具有8 kV的隔离耐压，去饱和检测和米勒钳位阈值分别为9 V和2 V，去饱和故障响应时间为419 ns，故障报错时间为311 ns，软关断时间为136 ns。该架构实现了短路故障保护和故障反馈，已应用在某一高耐压隔离IGBT驱动器中。
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