12~30 GHz高精度低附加相移數(shù)控衰減器設(shè)計(jì)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>4998 K
標(biāo)簽： 高精度 低附加相移 數(shù)控衰減器
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文檔介紹：為了滿足寬帶微波無線通信系統(tǒng)高精度的設(shè)計(jì)要求，采用砷化鎵（GaAs）0.15 μm PHEMT工藝設(shè)計(jì)了一款12~30 GHz高精度低附加相移的五位數(shù)控衰減器。該衰減器通過級聯(lián)五個不同衰減位，可實(shí)現(xiàn)最小步進(jìn)為0.5 dB的0~15.5 dB衰減范圍，其中0.5 dB衰減位采用簡化T型衰減結(jié)構(gòu)，1 dB、2 dB、4 dB和8 dB衰減位采用Lange耦合器式反射型結(jié)構(gòu)。在反射型衰減拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提出并采用了層疊開關(guān)晶體管技術(shù)和電容補(bǔ)償技術(shù)，有效降低了超寬頻帶內(nèi)的附加相移，提高了衰減精度。電磁仿真顯示，在12~30 GHz頻帶范圍內(nèi)，參考態(tài)插入損耗≤3.8 dB，衰減器的32態(tài)衰減均方根誤差（Root Mean Square， RMS）小于0.5 dB，典型值僅為0.3 dB，衰減器的32態(tài)附加相移不超過±3°，32態(tài)端口輸入回波損耗與輸出回波損耗均大于12 dB。電路尺寸僅為2.95 mm×1.2 mm。
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