基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究
所屬分類：技术论文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>4480 K
標(biāo)簽： 线性度 缓变沟道 栅压摆幅
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文檔介紹：基于半导体工艺与器件模拟工具（TCAD）提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件，该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布，器件栅压摆幅高达4.1 V，比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%，显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外，还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。
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