中文字幕一区二区三区永久,91久久欧美激情在线看

阻抗匹配在RFID系統(tǒng)中的應(yīng)用

匹配關(guān)乎著系統(tǒng)的性能，使匹配則是使系統(tǒng)的性能達(dá)到約定準(zhǔn)則下的最優(yōu)。其實，阻抗匹配的概念還可擴(kuò)展到整個電學(xué)之中，包括強(qiáng)電(以電能應(yīng)用為主)與弱電(以信號檢測與處理為主)兩個大的領(lǐng)域。再進(jìn)一步，如果去掉阻抗的概念單就匹配而言，則其覆蓋的范圍將更為廣闊，比如：在RFID技術(shù)應(yīng)用中，技術(shù)與需求的滿足涉及到匹配的問題等。

發(fā)表于：4/19/2011

光纖預(yù)制棒技術(shù)及發(fā)展趨勢[詳講]

2011年4月18日消息，目前，已形成光纖光纜全球性大發(fā)展的良好氣候，美國KMI公司預(yù)測，　今后10年，全球光纖光纜需求將持續(xù)增長，為適應(yīng)全球光纖光纜需求的增長，國際上各大光纖生產(chǎn)廠商正進(jìn)行新一輪的擴(kuò)產(chǎn)，同時，國內(nèi)光纖產(chǎn)業(yè)的發(fā)展勢頭也很強(qiáng)勁，有的光纖生產(chǎn)企業(yè)正在擴(kuò)產(chǎn)，還將新建幾個大型光纖廠。這里，技術(shù)路線的選擇是很重要的。

發(fā)表于：4/18/2011

晶圓代工可能很快出現(xiàn)大規(guī)模供過于求

據(jù)多家市場分析機(jī)構(gòu)指出，今年下半年起，晶圓代工可能面臨供過于求情況。

發(fā)表于：4/18/2011

閃存芯片迎春 20nm制程技術(shù)完全解析

近日IDF2011大會圓滿閉幕，但是就在會后時隔1個工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研發(fā)成功。對于整個閃存乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的刺激巨大。而在日本311之后，整個閃存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了巨大的驚濤風(fēng)波之后，現(xiàn)在恢復(fù)的如何？下面就且聽小編我一一道來。

發(fā)表于：4/18/2011

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計

先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計，接口的設(shè)計等。對設(shè)計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進(jìn)行了說明，并提出了一種解決方法。同時設(shè)計中還會遇到數(shù)據(jù)跨時鐘域傳輸?shù)膯栴}，本文也給出了解決辦法。最后仿真和綜合結(jié)果表明，本文的設(shè)計完全滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，具有實際的使用價值。

發(fā)表于：4/16/2011

Vishay精密電阻陣列使電子電路穩(wěn)定和小型化

本文將介紹薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定，同時減少需要的面積。以分壓器作為例子，我們將在文章中解釋相對參數(shù)“容差匹配”和“TCR跟蹤”，并討論電阻陣列的溫度行為。此外，這篇文章還會展示如何在生產(chǎn)過程中控制電阻的容差和溫度系數(shù)。

發(fā)表于：4/15/2011

利用模擬開關(guān)實現(xiàn)T1/E1/J1的N+1冗余

具有多端口T1/E1/J1線卡的現(xiàn)代通信系統(tǒng)通過增加冗余來滿足電信網(wǎng)絡(luò)的高可用性要求。過去，這些系統(tǒng)曾經(jīng)用繼電器來實現(xiàn)N＋1冗余切換。隨著每個線卡上的T1/E1/J1端口數(shù)和每個系統(tǒng)內(nèi)的線卡數(shù)的增加，繼電器方案不再可行，因為它們要占用大量的板上空間和供率。設(shè)計者正在用模擬開關(guān)代替繼電器。

發(fā)表于：4/15/2011

Vishay發(fā)布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負(fù)載開關(guān)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關(guān)噪聲降至最小。

發(fā)表于：4/14/2011

電容爆炸的原因及處理方法

我曾經(jīng)在400V開關(guān)室使用了PGJ1-5型無功功率補(bǔ)償屏，屏內(nèi)裝有BCMJ型并聯(lián)電容器10只，每只額定輸出16kVar，額定電壓0.4kV，額定電流25A，溫度類別-25℃/45℃接法。

發(fā)表于：4/14/2011

智慧手機(jī)和平板助攻行動DRAM聲勢看漲

在智慧型手機(jī)和媒體平板裝置的帶動下，行動DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢正不斷看漲。

發(fā)表于：4/14/2011

IDF2011:Hynix與下一代內(nèi)存技術(shù)趨勢

由英特爾主辦的全球IT界高水平的技術(shù)論壇活動--2011英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)，于4月12至13日在北京國家會議中心舉行。這是2007年以來連續(xù)第5個年度IDF在中國首發(fā)。本屆IDF以"智無界，芯跨越"(Compute Continuum and Beyond)為主題，將進(jìn)一步展示英特爾如何通過從硬件、平臺到軟件和服務(wù)全面的計算解決方案，推進(jìn)個性化互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展;同時面向中國市場如何支持本地合作伙伴創(chuàng)新，助力新一代信息技術(shù)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

發(fā)表于：4/14/2011

四月DRAM價格攀升廠商產(chǎn)能轉(zhuǎn)往Flash及DDR3

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，四月上旬DDR3合約價再度呈現(xiàn)價格上揚(yáng)的趨勢，DDR3 2GB均價自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場面來觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起硅晶圓搶料作戰(zhàn)，硅晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產(chǎn)業(yè)需求，加上DRAM廠普遍都有一個月以上的庫存量來看，目前維持正常投片的能見度可至第二季末，但長期來看，如果硅晶圓大廠如信越化學(xué)及SUMCO不能在近期恢復(fù)正常運作，DRAM供應(yīng)煉受到?jīng)_擊勢必在未來將陸續(xù)浮現(xiàn)，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現(xiàn)問題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對于DRAM廠未來是否能供貨穩(wěn)定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫存水位，需求轉(zhuǎn)趨積極下，跟DRAM廠議定合約價時亦接受較高的價格，也是讓四月上旬合約價攀升的主要原因。

發(fā)表于：4/14/2011

Vishay榮獲TTI Asia的優(yōu)秀供應(yīng)商獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應(yīng)商獎。Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一，TTI是全球領(lǐng)先的授權(quán)分銷商，專門從事無源、連接器、機(jī)電產(chǎn)品和分立器件的分銷。

發(fā)表于：4/13/2011

硅晶圓缺貨依舊　DRAM合約價成功調(diào)漲

在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個人計算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動，4月DRAM合約價漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價格調(diào)漲至18美元，換算2Gb芯片報價回升至2美元，預(yù)計2GB模塊報價回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問題持續(xù)，預(yù)計5、6月可順利回升至此價位。

發(fā)表于：4/13/2011

繼電器使用中的幾點問題

要用好繼電器，正確選型是很重要的，首先必須對被控對象的性質(zhì)、特點和使用要求有透徹的了解，并進(jìn)行周密考慮。對所選繼電器的原理、用途、技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)特點、規(guī)格型號要掌握和分析。在此基礎(chǔ)上應(yīng)根據(jù)項目實際情況和具體條件，來正確選擇繼電器。

發(fā)表于：4/13/2011