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100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級版本的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

發(fā)表于：2/18/2011

精密電阻分類及特性

本文詳細(xì)介紹了精密電阻的分類特性及基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：2/17/2011

存儲分析網(wǎng)絡(luò)存儲與備份十項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

有效利用網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)是任何數(shù)據(jù)存儲管理策略的重要組成部分，僅僅依靠硬盤、JBOD和其它類型的本地存儲是不足以保護(hù)關(guān)鍵業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)的完整性的，網(wǎng)絡(luò)存儲在這個時(shí)候真正顯示出巨大的威力，它不僅可以容納由服務(wù)器產(chǎn)生的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)，還可以容納由PC端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，并為數(shù)據(jù)提供良好的保護(hù)。

發(fā)表于：2/17/2011

影響電阻或電阻率測試的因素

影響電阻或電阻率測試的主要因素有環(huán)境溫濕度、測試電壓、測試時(shí)間、測試設(shè)備的泄露和外界干擾等。

發(fā)表于：2/16/2011

iPhone基帶軟件充滿漏洞缺陷將被曝光

蘋果iPhone無疑是世界上最受歡迎的智能手機(jī)之一，由于該產(chǎn)品極為受寵，很多瑕疵都被用戶所忽略，就像是iPhone 4(參數(shù) 報(bào)價(jià) 圖片論壇軟件)的新號問題。實(shí)際上早在iPhone 4之前，美國AT&T的iPhone用戶就已經(jīng)頻頻抱怨手機(jī)頻繁掉線，只不過當(dāng)時(shí)用戶和蘋果都將矛頭指向了AT&T，然而，美國《紐約時(shí)報(bào)》媒體卻在近日聲稱，這并不能完全歸咎于AT&T，蘋果自身也存在一些設(shè)計(jì)問題。如果真的是這樣，那么隨著Verizon開始引入CDMA版 iPhone，這些缺陷就會隨之曝光。

發(fā)表于：2/16/2011

英飛凌面向硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用的新一代650V超結(jié)器件

隨著功率密度不斷提高，半橋和全橋等軟開關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動態(tài)性能，采用這些拓?fù)淇山档拖到y(tǒng)的開關(guān)損耗，提高可靠性。

發(fā)表于：2/16/2011

美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)

自問世以來，NAND閃存對ECC（糾錯碼）糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元（MLC）架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)技術(shù)所需的ECC糾錯能力讓系統(tǒng)人員越來越難以應(yīng)付。

發(fā)表于：2/16/2011

Ramtron在IIC China 2011展會上展示MaxArias無線存儲器

世界頂尖的低功率鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會展中心舉行的IIC China 展會上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢 (展臺號：2L19)。Ramtron專家將在展臺進(jìn)行現(xiàn)場演示，并回答有關(guān)獲獎的MaxArias?無線存儲器等半導(dǎo)體解決方案的各種問題。

發(fā)表于：2/15/2011

IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可將DC-DC開關(guān)應(yīng)用效率提升2%

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術(shù)，可為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦。

發(fā)表于：2/15/2011

CSA集團(tuán)任命MAGALI DEPRAS 女士為歐洲區(qū)副總裁及廣東加華美認(rèn)證公司董事會成員

CSA集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士為CSA集團(tuán)歐洲區(qū)副總裁，即日生效。Depras女士將在德國法蘭克福辦公，主要負(fù)責(zé)加速CSA服務(wù)和產(chǎn)品在歐洲地區(qū)的增長，并為所有歐洲客戶帶來CSA的全球服務(wù)。

發(fā)表于：2/15/2011

表面貼裝 3A LDO 非常容易并聯(lián)，在不產(chǎn)生任何熱點(diǎn)的情況下提供大的 IOUT

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，該器件可并聯(lián)以分散熱量，并提供更大的輸出電流，它還可用單個電阻器調(diào)節(jié)。LT3083 與先于其推出的 1.1A 同類器件 LT3080 基于相同的創(chuàng)新型架構(gòu)，它采用了一個電流源基準(zhǔn)以利用單個電阻器來設(shè)定輸出電壓。當(dāng) SET 引腳連在一起時(shí)，用一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流器，就可在多個穩(wěn)壓器之間均流并分散熱量，從而在所有表面貼裝系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)數(shù)安培的線性調(diào)節(jié)，而無需散熱器。

發(fā)表于：2/14/2011

泰科電子雙向硅ESD保護(hù)器件幫助減少組裝挑戰(zhàn)　泰科電子推出標(biāo)準(zhǔn)0201和0402封裝的ChipSESD保護(hù)器件

泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件，以擴(kuò)展其硅ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。該ChipSESD封裝將一個硅器件和一個傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)(SMT)被動封裝配置的各種優(yōu)勢結(jié)合在一起。

發(fā)表于：2/14/2011

英飛凌推出集成快速體二極管的650V MOSFET，第35億顆高壓MOSFET順利下線，全面致力于提升能效

2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

發(fā)表于：2/14/2011

NAND Flash下半年需求急增價(jià)格陷拔河賽

農(nóng)歷春節(jié)前這一波DRAM價(jià)格漲的又急又猛，記憶體業(yè)者表示，其實(shí)DRAM終端需求并沒這么強(qiáng)，但過去DRAM急漲現(xiàn)象常發(fā)生，應(yīng)以平常心看待，反觀NANDFlash市場未來在傳統(tǒng)記憶卡和隨身碟市場要再成長并不容易。

發(fā)表于：2/14/2011

2011年DRAM市場五項(xiàng)發(fā)展趨勢

Muse表示，2011年NAND市場前景不錯，但DRAM市場可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺約2GB，卻被代換成平板電腦每臺僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過剩。

發(fā)表于：2/14/2011

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