微波射頻相關(guān)文章 平板電腦為DRAM帶來(lái)增長(zhǎng)支撐點(diǎn) 據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2011年平板電腦將極大地促進(jìn)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預(yù)計(jì)今年該領(lǐng)域的DRAM出貨量將增長(zhǎng)八倍。今年平板設(shè)備領(lǐng)域的DRAM出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到3.533億Gb，比2010年的3780萬(wàn)Gb劇增834.7%。 發(fā)表于：1/28/2011 Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)具有1.0～2.5W的高功率等級(jí)。 發(fā)表于：1/27/2011 DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底 二季度回漲 來(lái)自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱，1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底，下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開(kāi)始回漲. 發(fā)表于：1/27/2011 電感、電解電容 2011年行情和價(jià)格雙雙看漲 廠商并未看漲2011年所有元件的價(jià)格，例如OVP元件就被多數(shù)廠商認(rèn)為會(huì)保持穩(wěn)定價(jià)格，而針對(duì)鋁電解電容市場(chǎng)，TDK-EPC集團(tuán)成員愛(ài)普科斯大中華區(qū)鋁電解電容產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)劉權(quán)旺表示，鋁電解電容器的價(jià)格將呈上升華強(qiáng)電子網(wǎng)電子元器件資訊提供最新的電子資訊，元器件資訊，LED資訊，IC資訊，非IC資訊，展會(huì)信息，這里是您了解最新的電子元器件信息的最佳平臺(tái)。 發(fā)表于：1/27/2011 聯(lián)華電子第四季度凈利潤(rùn)增46% 聯(lián)華電子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布，受晶圓發(fā)貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)提振，去年第四季度凈利潤(rùn)增長(zhǎng)46%。但該公司表示，美國(guó)和新興市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的不確定性可能令今年芯片需求受到抑制。 發(fā)表于：1/27/2011 芯片封裝技術(shù)詳解 自從美國(guó)Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處a理器芯片以來(lái)，在20多年時(shí)間內(nèi)，CPU從Intel4004、80286、80386、80486發(fā)展到Pentium和PentiumⅡ，數(shù)位從4位、8位、16位、32位發(fā)展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上... 發(fā)表于：1/27/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/26/2011 下一代無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)技術(shù) PON技術(shù)是一種典型的電到多點(diǎn)接入技術(shù)，由局側(cè)光線路終端（OLT）、用戶側(cè)光網(wǎng)絡(luò)單元（ONU）以及光分配網(wǎng)絡(luò)（ODN）組成。“無(wú)源”是指ODN中不含有任何有源電子器件及電源，全部由光纖和光分/合路器（Splitter）等無(wú)源光器件組成。 發(fā)表于：1/26/2011 光纖位移傳感器的工作原理與仿真 加拿大Roctest公司生產(chǎn)了一種商業(yè)用途的光纖位移傳感器（Fiber-Optic Linear Position & Displacement Sensor, FO－LPDS），這種傳感器使用了Fizeau干涉儀解調(diào)專利技術(shù)（US patent #5202939/#5392117），具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、精度高和響應(yīng)快的優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)在土木工程領(lǐng)域得到了成功的應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹該種傳感器的原理和用途。 發(fā)表于：1/25/2011 MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制 利用硅膜的良好機(jī)械特性，采用接觸式的結(jié)構(gòu)，通過(guò)簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn)的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片。經(jīng)過(guò)對(duì)傳感器的測(cè)試和分析，證明這種傳感器可應(yīng)用于氣象壓力的測(cè)量。如何改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝制造，提高傳感器的測(cè)量精度是下一步研究工作的重點(diǎn)。 發(fā)表于：1/24/2011 Maxim推出帶有LDD接口的SFP+控制器 Maxim推出帶有數(shù)字激光二極管驅(qū)動(dòng)器(LDD)接口的小外形可插拔(SFP+)控制器DS1878。DS1878基于狀態(tài)機(jī)，無(wú)需進(jìn)行枯燥的軟件開(kāi)發(fā)工作。器件能夠輕松滿足SFF-8472標(biāo)準(zhǔn)的要求，大大縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。此外，作為光收發(fā)器設(shè)計(jì)人員理想的高可靠性I²C控制器選擇，DS1878可有效提高SFP+光收發(fā)器模塊的可靠性。 發(fā)表于：1/24/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 賓夕法尼亞、MALVERN— 2011 年1 月24 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/24/2011 MEMS增長(zhǎng)動(dòng)力在消費(fèi)電子和手機(jī) 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：1/24/2011 起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并模擬的方法 瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。 發(fā)表于：1/24/2011 延長(zhǎng)導(dǎo)通時(shí)間可減小輸入電容容量 基于微處理器的器件需要使用穩(wěn)壓電源(PSU)以檢測(cè)輸入功率損耗和繼續(xù)在完成內(nèi)存?zhèn)浞?即將關(guān)鍵數(shù)據(jù)寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器)的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行供電。 發(fā)表于：1/24/2011 ?…131132133134135136137138139140…?
