微波射頻相關文章 談晶閘管投切電容器TSC的觸發(fā)電路 該文介紹了晶閘管投切電容器的原理和快速過零觸發(fā)要求，分析了兩類晶閘管的觸發(fā)電路的特點和存在的問題，指出了一種新型的從主回路晶閘管獲取晶閘管電壓過零信號的電路框圖，以該電路支撐產(chǎn)生一系列觸發(fā)電路，取得了優(yōu)秀的觸發(fā)效果。 發(fā)表于：1/7/2011 計算制動電阻的方法及對比分析 本文介紹了三種計算制動電阻兩個參數(shù)的方法，并對此進行分析比較。 發(fā)表于：1/7/2011 開關調(diào)節(jié)器的分析 開關調(diào)節(jié)器的分析傳統(tǒng)上，開關調(diào)節(jié)器不宜用于直接為ADC供電。然而，開關調(diào)節(jié)器技術已今非昔比，當與后置濾波、精心的設計和布局布線做法相結合，開關調(diào)節(jié)器可以用作許多高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高效率電源解決方案。 發(fā)表于：1/7/2011 Ramtron的MaxArias無線存儲器獲《電子技術應用》雜志頒發(fā)2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 的MaxArias?無線存儲器榮獲《電子技術應用》雜志2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎。《電子技術應用》雜志是中國領先的電子/IT雜志之一，Ramtron的 MaxArias器件其讀者投票評選為嵌入式產(chǎn)品類別的優(yōu)勝者。 發(fā)表于：1/6/2011 利用3軸數(shù)字加速度計實現(xiàn)功能全面的計步器設計 本文以對步伐特征的研究為基礎，描述一個采用3軸加速度計ADXL345的全功能計步器參考設計，它能辨別并計數(shù)步伐，測量距離、速度甚至所消耗的卡路里。 發(fā)表于：1/6/2011 三網(wǎng)融合帶來的測試測量新挑戰(zhàn) 2011年1月4日消息，三網(wǎng)融合的話題在今年再次激起中國IT業(yè)界的極大熱情。廣泛關注的背后是三網(wǎng)融合將帶來的巨大產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，某市場調(diào)研公司分析認為，未來3-5年之內(nèi)三網(wǎng)融合的各個領域每年將保持30%-50%的增長，…… 發(fā)表于：1/6/2011 傳爾必達大幅降低華邦GDDR顯存芯片代工訂單數(shù)量 由于近期市場對GDDR顯存的需求量下降，日本內(nèi)存廠商爾必達公司大量削減了發(fā)送給臺灣華邦公司的顯存代工訂單數(shù)量。而華邦最近也由于生產(chǎn)利潤不佳而降低了GDDR顯存芯片的產(chǎn)量，不過華邦稱仍會與爾必達公司在GDDR顯存項目上繼續(xù)合作。 發(fā)表于：1/6/2011 場效應管在音響領域的應用 現(xiàn)在越來越多的電子電路都在使用場效應管，特別是在音響領域更是如此。 發(fā)表于：1/5/2011 繼續(xù)領先 三星推史上第一條DDR4內(nèi)存 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。 發(fā)表于：1/5/2011 設計中不可或缺的熱分析 記得從什么時候開始，熱分析意味著撤回原型并確定是否需要額外加入兩個散熱片和一個風扇嗎？現(xiàn)在再嘗試這種方式你將發(fā)現(xiàn)身處泥潭卻無計可逃。畢竟，熱可能會影響電氣性能并最終縮短平均無故障時間。 發(fā)表于：1/5/2011 半導體業(yè)2011年預測 2010年半導體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達到頂點2.72美元。 發(fā)表于：1/5/2011 TriQuint半導體25年又見突破 2010年，在公司成立25年之際，TriQuint迎來了另一分碩果——大中華區(qū)市場收入首次突破1.5億美元大關（1.5億美元收入大關基于大中華區(qū) 2010年前兩季度的實際收入和三、四季度的預測收入，不包括來自海外轉(zhuǎn)移業(yè)務的收入）。為了慶祝這一成就，TriQuint半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官 Ralph Quinsey先生和TriQuint中國區(qū)總經(jīng)理熊挺先生在深圳舉辦了媒體見面會，向中國媒體闡述了TriQuint半導體公司的戰(zhàn)略概述，并介紹了 TriQuint公司25年的成功發(fā)展歷程。 發(fā)表于：1/4/2011 DRAM廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn) 模擬IC廠成本可望下降 MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼副主任洪春暉指出，類比IC廠商面臨IDM廠委外代工增加，壓縮投片空間，再加上晶圓代工廠未來6寸及8寸擴產(chǎn)機會不大，產(chǎn)能長期恐面臨不足的窘境，估計記憶體廠因DRAM價格持續(xù)滑落，未來將可能提供部分產(chǎn)能生產(chǎn)類比IC。 發(fā)表于：1/4/2011 一種高性能CMOS電荷泵的設計 設計了一種用于電荷泵鎖相環(huán)的CMOS電荷泵電路。電路中采用3對自偏置高擺幅共源共柵電流鏡進行泵電流鏡像，增大了低電壓下電荷泵的輸出電阻，實現(xiàn)了上下兩個電荷泵的匹配。為消除單端電荷泵存在的電荷共享問題，引入了帶寬幅電壓跟隨的半差分電流開關結構，使電荷泵性能得以提高。設計采用0．18μm標準CMOS工藝。電路仿真結果顯示，在0．35～1．3 V范圍內(nèi)泵電流匹配精度達0．9％，電路工作頻率達250 MHz。 發(fā)表于：1/3/2011 超級電容提高移動電話的音頻質(zhì)量和電源性能 本文將討論有關為帶音樂功能的手機提供大功率和高質(zhì)量音頻的問題，并介紹超級電容(supercapacitor)如何能克服這些問題。這種超級電容還可以在不犧牲手機超薄外形的優(yōu)勢條件下實現(xiàn)大功率LED閃光攝影功能。 發(fā)表于：1/3/2011 ?…135136137138139140141142143144…?
