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三星半导体业务三季度获利环比大跌40%
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三星前员工涉嫌向韩国泄露国产内存秘密被中国警方逮捕
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消息称三星下代400+层V-NAND 2026年推出
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消息称三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通过英伟达认证
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TrendForce预测2024年第四季度DRAM价格涨幅放缓
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摩根士丹利报告显示DRAM市场寒冬将至
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两名前三星员工涉嫌泄露价值32亿美元商业机密被捕
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英飞凌支付7.5亿欧元与奇梦达和解
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2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%
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消息称SK海力士启动M16扩产
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消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资
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机构预计2024年DRAM收入将激增至980亿美元
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传称三星将转移30%产能生产HBM
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DRAM和NAND现货价格下跌 短期内难以回升
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消息称美光正在全球扩张HBM内存产能
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消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
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南亚科技首款1Cnm制程DRAM内存产品明年初试产
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消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型光刻胶
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SK海力士HBM3E内存良率已接近80%
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三星SK海力士将超过20%的DRAM产线转换为HBM
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消息称三星计划量产的1c DRAM使用MOR光刻胶
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消息称SK 海力士拟新建DRAM工厂
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美光获得美国至多61.4亿美元直接补贴和75亿美元贷款
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SK海力士计划投资5.3万亿韩元再建一座DRAM工厂
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美光科技：台湾地震导致DRAM芯片季度供应下降5%
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美光计划二季度针对DRAM内存和固态硬盘产品调涨 25%
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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存量产
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三星和SK海力士正在提高DRAM产量
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三星升级HBM团队以加速AI推理芯片Mach-2开发
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