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SK海力士HBM4E被曝拟引入台积电3nm工艺
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美光确认正在基于1γ DRAM开发HBM4E
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美光直言定制HBM内存将在HBM4E时代正式落地
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下一代HBM4和HBM4E内存冲击单颗64GB
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三星电子公布HBM4E内存规划
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三星电子计划2027年推出0a nm DDR内存
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SK海力士HBM4E内存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片
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