3 月 19 日消息，Micron 美光在其 FY2026Q2 財報會議上表示，預(yù)計 2027 年量產(chǎn)的下一代 HBM 內(nèi)存 —— HBM4E 正在開發(fā)之中，其將基于 1γ（1-gamma，即第 6 代 10nm 級）工藝的 DRAM Die，相較 HBM4 實現(xiàn)制程升級。

而在 DRAM 工藝開發(fā)方面，美光確認(rèn)將引入第 7 代 10nm 級工藝 1δ (1-delta)。

該節(jié)點(diǎn)的 EUV 光刻使用量將更高，為此美光計劃為其導(dǎo)入最新一代的 EUV 光刻設(shè)備（注：這里應(yīng)指 High NA EUV），以優(yōu)化潔凈室空間效率和圖案化表現(xiàn)。

美光正從傳統(tǒng)的 LTA 長期協(xié)議轉(zhuǎn)向包含多年具體承諾的 SCA 戰(zhàn)略客戶協(xié)議，首份五年期 SCA 已經(jīng)簽署。

這種模式為美光提供更好的業(yè)務(wù)可見性與穩(wěn)定性，同時也給予客戶更大的確定性，深化雙方的長期合作。

美光預(yù)測全球整體的 DRAM 和 NAND 供應(yīng)規(guī)模將在 2026 日歷年增長 20% 左右；

PC 和智能手機(jī)的出貨量可能會有一成出頭的下滑。

該企業(yè)提升了本財年的資本支出規(guī)模，以滿足晶圓廠潔凈室建設(shè)的需求。