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基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC[模拟设计][消费电子]

氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被构造成具有集成栅极驱动器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。

發(fā)表于：2016/8/16

芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？[模拟设计][消费电子]

1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念，而是数个billion。 2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺，Fin Pitch小于 50nm，可以说是技术上的一个飞跃了。关于所谓的14nm，实际只能初略的反映工艺的一个技术节点，真正的沟道长度要比14nm要长一些。

發(fā)表于：2016/8/16

晶体管出现的意义[模拟设计][消费电子]

晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。　　同电子管相比，晶体管具有诸多优越性：　　①晶体管的构件是没有消耗的。无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。

發(fā)表于：2016/8/16

晶体管工作原理是什么?[模拟设计][消费电子]

利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。

發(fā)表于：2016/8/16

晶体管或稳压器并联后可以取消散热器[模拟设计][消费电子]

　双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器)，并从中收获诸多好处。

發(fā)表于：2016/8/16

一个小型晶体管开关电路的应用[模拟设计][消费电子]

Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另一NPN型开关，与本文无关。　　实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分压影响迅速降低，Q4开始保持R29的分压。这个电路的问题在于Q3对Q4的开关界限不够明显，在R27取值合适的情况下，比如要么小于2M要么大于3M，电路没有问题，否则会导致之前所担忧的情况。

發(fā)表于：2016/8/16

场效应晶体管的几点使用技巧[模拟设计][消费电子]

我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管.

發(fā)表于：2016/8/16

激光技术用于可穿戴显示器的薄膜晶体管[模拟设计][消费电子]

OFweek可穿戴设备网讯韩国科学技术学院(KAIST)材料科学与工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授领导的一个研究小组采用无机激光剥离法开发了用于柔性显示器有源矩阵背板的超薄透明氧化物薄膜晶体管(TFT)。

發(fā)表于：2016/8/16

一种基于CP-ABE多属性授权中心的隐私保护方案[嵌入式技术][信息安全]

针对云计算环境下用户隐私保护的问题，提出一种基于CPABE多属性授权中心隐私保护方案（PPMACPABE）。方案中采用多个属性授权中心代替单一中央授权服务器，避免了由单一中央授权服务器引起的安全性问题。方案设计了一种交互式的密钥生成算法，利用承诺方案和零知识证明的方法，实现了用户密钥获取过程中用户的属性以及全局身份标识不被泄露，安全性分析表明PPMACPABE方案能够保护用户隐私，并给出了方案的正确性证明。仿真实验结果表明，与DCPABE方案相比，在保护用户隐私信息的前提下，本方案有较高的效率。

發(fā)表于：2016/8/16

基于F28M36的EtherNet/IP从站设计[嵌入式技术][其他]

分析了一种全新的工业以太网协议EtherNet/IP，并从源代码的角度阐明了其基本原理。基于TI的DSP+ARM双核芯片F28M36设计了一款采用以太网传输的伺服控制系统控制卡，移植了UCOSII操作系统、CIP协议、嵌入式TCP/IP协议和网络芯片驱动，最终实现了工业以太网协议EtherNet/IP协议的成功移植。

發(fā)表于：2016/8/16

基于Rossle混沌平均互信息特征挖掘的网络攻击检测算法[通信与网络][信息安全]

传统网络攻击检测方法中，通常使用混沌系统结合高斯混合模型实现同步控制检测，当待检测的攻击信号具有高斯线性特征时，这种方法的检测效果理想。随着网络攻击信号向着非线性随机序列方向发展，传统检测模型无法实现有效的攻击检测。提出一种基于Rossle混沌模型的平均互信息特征潜质挖掘算法，并根据挖掘的互信息这种非线性特征解，实现对具有非线性随机特性的网络攻击信号有效检测。法进行网络攻击检测，检测性能明显提高，检测概率达到97.8%，展示了算法优越的检测性能和网络安全防御价值。

發(fā)表于：2016/8/16

基于LCD和改进SVM的轴承故障诊断方法[测试测量][工业自动化]

针对滚动轴承极易损伤，振动信号表现出非线性、非平稳性等特点，提出一种基于局部特征尺度分解(LCD)和改进支持向量机(SVM)的滚动轴承故障诊断算法。首先对采集到的轴承振动信号进行LCD，分解得到一系列内禀尺度分量(ISC)，通过与经验模态分解(EMD)对比研究，证明了LCD方法的优越性；然后计算所有分量的能量熵值，提取出轴承信号的敏感特征集，输入到经过遗传算法(GA)进行参数优选后的SVM识别模型进行轴承状态的诊断识别。实验研究表明，基于LCD和改进SVM的轴承诊断算法能较好地提取出轴承故障特征信息，对4种轴承状态的识别率高达90%，是一种较为有效的轴承故障诊断方法。

發(fā)表于：2016/8/16

窄带HPM强电磁环境中控制系统的EMC分析和设计[微波|射频][工业自动化]

针对窄带高功率微波(HPM)强电磁环境对控制系统的性能影响，采用理论分析和实验测试等方法对电磁干扰(EMI)的干扰源和耦合途径进行研究，提出控制系统电磁兼容性的设计方法，从电磁屏蔽、滤波和接地等方面进行分析并采取措施。实验结果验证了控制系统在屏蔽、滤波和接地等方面采取的措施，对抑制窄带HPM源强电磁环境下的电磁干扰有效可行，控制系统的设计满足HPM源的工作要求。同时窄带HPM控制系统的电磁兼容性(EMC)分析和设计也为强电磁环境下仪器设备防护加固提供技术支撑。

發(fā)表于：2016/8/16

学好嵌入式系统电路入门之——二极管/晶体管/FET[模拟设计][消费电子]

导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量，并可控制电流动的物质称为半导体。

發(fā)表于：2016/8/16

回顾晶体管历史岁月[模拟设计][消费电子]

1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和沃特·布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年：威廉·邵克雷开发出双极晶体管（Bipolar Junction Transistor），这是现在通行的标准的晶体管。 1953年：第一个采用晶体管的商业化设备投入市场，即助听器。

發(fā)表于：2016/8/15