《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術 > 業(yè)界動態(tài) > ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協(xié)議

ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協(xié)議

2016-03-23

  ARM與臺積公司(TSMC)共同宣布一項為期多年的協(xié)議,針對7奈米FinFET制程技術進行合作,包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設計解決方案。這項新協(xié)議將擴大雙方長期的合作夥伴關系,推動先進制程技術向前邁進,超越行動產(chǎn)品的應用并進入下一世代網(wǎng)路與資料中心的領域。此外,這項協(xié)議并延續(xù)先前采用ARM Artisan基礎實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

  ARM執(zhí)行副總裁暨產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Pete Hutton表示:“既有以ARM為基礎的平臺已展現(xiàn)提升高達10倍運算密度的能力,支援特定資料中心的工作負載,未來ARM特別為資料中心與網(wǎng)路架構量身設計,并針對臺積公司7奈米FinFET進行最佳化的技術,將協(xié)助雙方客戶在各種不同效能產(chǎn)品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構?!?/p>

  臺積公司研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示:“臺積公司持續(xù)投入先進制程技術的研發(fā)以支援客戶事業(yè)的成功,藉由7奈米FinFET制程,我們的制程與設計生態(tài)環(huán)境解決方案已經(jīng)從行動擴大到高效能運算的應用??蛻粼O計的下一世代高效能運算系統(tǒng)單晶片將受惠于臺積公司領先業(yè)界的7奈米FinFET制程。相較于10奈米FinFET制程,7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢,或在相同效能下提供更低的功耗。ARM與臺積公司共同最佳化的解決方案將能夠協(xié)助客戶推出具有顛覆性創(chuàng)新且市場首創(chuàng)的產(chǎn)品?!?/p>

  此項最新協(xié)議奠基于ARM與臺積公司先前在16奈米FinFET與10奈米FinFET制程技術成功的合作基礎之上。臺積公司與ARM長期保持合作,共同創(chuàng)新,提供先進的制程與矽智財來協(xié)助客戶加速產(chǎn)品開發(fā)周期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實體IP及采用16奈米FinFET與10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72處理器設計定案。


本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。