《電子技術(shù)應(yīng)用》
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用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的µModule 穩(wěn)壓器

工作在 3.3VIN 至 15VIN 并可安放在 0.5cm2 PCB 面積內(nèi)
2016-04-20

  加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 4 月 14 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路輸出μModule (電源模塊) 穩(wěn)壓器 LTM4632,用于為新型 QDR4 和較老式的 DDR SRAM 之所有三個(gè)電壓軌供電:VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。LTM4632 采用一個(gè)微型、輕量和超薄的 LGA 封裝 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm),其可焊接在 PCB 的背面,配合采用一個(gè)電阻器和三個(gè)電容器時(shí),占板面積僅為 0.5cm2 (雙面) 或 1cm2 (單面)。一個(gè) LTM4632 能提供 3A VDDQ 和 ±3A VTT (=1/2*VDDQ),所以兩個(gè)并聯(lián)的 LTM4632 能夠?yàn)檩^大的存儲(chǔ)器組提供高達(dá)每電源軌 6A。對(duì)于超過 6A 的 VDDQ,LTM4632 可配置為與 LTM4630 一起給大型 SRAM 陣列提供介于 18A 和 36A 之間的 VDDQ。如果 VDDQ 已經(jīng)可用,則可配置 LTM4632 以提供一個(gè)高達(dá) 6A 的兩相單路 VTT 輸出。

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  LTM4632 可采用一個(gè) 3.3V 的低輸入電源、以及標(biāo)準(zhǔn)的 5V 和 12V 輸入 (最高 15V) 工作 。兩個(gè)輸出電壓 (VDDQ 和 VTT) 的范圍均為 0.6V 至 2.5V。第三個(gè)輸出是一個(gè)用于 SRAM 之 VTTR 的低噪聲 10mA 緩沖輸出。應(yīng)用包括 PCIe、基于云的系統(tǒng)、RAID、視頻處理和采用這些 SRAM 的網(wǎng)絡(luò):DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR-II / QDR-II+ 和 QDR4。

  LTM4632 包含一個(gè)三路輸出 DC/DC 穩(wěn)壓器、電壓除二電路、電源開關(guān)、電感器和支持組件,采用了緊湊和超薄的封裝。LTM4632 的額定工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C。E 級(jí)版本的千片批購價(jià)為每片 7.35 美元,而 I 級(jí)版本的千片批購價(jià)則為每片 8.09 美元。如需更多信息,請登錄 www.linear.com.cn/product/LTM4632。

  照片說明:用于 DDR-QDR4 存儲(chǔ)器電源的超薄?Module 穩(wěn)壓器

  性能概要:LTM4632

  ·占板面積為 1cm2 (單面 PCB) 或 0.5cm2 (雙面 PCB) 的完整 DDR / QDR4 存儲(chǔ)器電源解決方案

  ·3A VDDQ + 3A VTT 或兩相單路 6A VTT

  ·寬輸入電壓范圍:3.6V (VIN 連接至 INTVCC) 至 15V

  ·0.6V 至 2.5V 輸出電壓范圍

  ·±1.5%、±10mA 緩沖 VTTR = VDDQ/2 輸出

  ·外部頻率同步

  ·超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝


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