在過(guò)去Cortex-A57核心當(dāng)?shù)赖哪甏?，手機(jī)散熱無(wú)法滿(mǎn)足SoC要求，導(dǎo)致CPU降頻，從而影響用戶(hù)體驗(yàn)令人煩惱。所以當(dāng)高通表示驍龍652/650采用28HPm工藝時(shí)，不少人擔(dān)憂(yōu)28nm工藝與最新的Cortex-A72架構(gòu)結(jié)合起來(lái)表現(xiàn)如何。畢竟20nm都招架不住Cortex-A57，28nm遇上Cortex-A72會(huì)怎么樣？可在驍龍652遇上16nm工藝、Cortex-72核心的處理器時(shí)，驍龍652上演了一場(chǎng)意想不到的逆襲。

　　Cortex-A72：頻率1.8GHz

　　Cortex-A72是目前應(yīng)用到手機(jī)SoC中性能最高的ARM Cortex A核心，也是三星、MTK、華為旗艦SoC所選用的核心，因此即使驍龍652/650的Cortex-A72最高頻率為1.8GHz，性能仍有所保證。大家對(duì)于驍龍652/650采用28nm工藝而略表?yè)?dān)憂(yōu)，其它品牌即使不是采用最新14/16nm FinFET工藝，再不濟(jì)也是20nm SoC工藝。驍龍652/650功耗問(wèn)題是否能表現(xiàn)過(guò)關(guān)？

　　根據(jù)ARM官方信息，放心在Cortex-A72上使用28nm工藝吧。下圖來(lái)自ARM官方信息圖片， ARM在設(shè)計(jì)之初已把28nm工藝作為Cortex-A72標(biāo)準(zhǔn)工藝，在28nm工藝下其最高運(yùn)行頻率可達(dá)到2.0 GHz，此時(shí)比同樣采用28nm工藝的Cortex-A15（@1.6GHz）功耗還要低50%，也比20nm工藝的Cortex-A57（@2.0 GHz）也要低20%左右。在驍龍652/650上高通選擇了1.8GHz最高頻率，從而令核心功耗更加可控。

　　此外驍龍652/650搭載4個(gè)Cortex-A53負(fù)責(zé)低負(fù)載任務(wù)，并集成Hexagon DSP低功率島設(shè)計(jì)，專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)語(yǔ)音、圖像等任務(wù)。三者相輔相成保證整個(gè)SoC能以最高效率執(zhí)行任務(wù)，從而減少功耗。

　　實(shí)測(cè)如何？

　　從理論上說(shuō)，大家大可不必為驍龍652/650的功耗擔(dān)憂(yōu)，實(shí)際表現(xiàn)如何呢？下面我們使用vivo Xplay5與華為榮耀V8進(jìn)行對(duì)比，前者采用驍龍652處理器，擁有4個(gè)Cortex-A72核心與4個(gè)Cortex-A53，后者采用麒麟955處理器，由16FinFET工藝制成，核心配置與驍龍652一樣，但其Cortex-A72核心最高頻率為2.5GHz。

　　首先是連續(xù)運(yùn)行10輪3DMark Ice Storm Extreme ES3.1測(cè)試，此測(cè)試主要依賴(lài)CPU、GPU與內(nèi)存性能，模擬運(yùn)行大型3D游戲時(shí)智能手機(jī)的負(fù)載。在測(cè)試進(jìn)行時(shí)，記錄下手機(jī)背面最高溫度與得分，環(huán)境溫度為26℃，測(cè)試開(kāi)始時(shí)手機(jī)背面最高溫度約為31℃。

　　在第一輪測(cè)試開(kāi)始時(shí)，Xplay5與榮耀V8表現(xiàn)非常相似，前者得分為891、后者875，機(jī)背溫度一致；隨著測(cè)試深入，兩款手機(jī)表現(xiàn)大相徑庭，Xplay5得分一直維持在890分左右，溫度緩慢提高，最高溫度在37.0℃止步。榮耀V8得分整體呈走低趨勢(shì)同時(shí)出現(xiàn)反復(fù)現(xiàn)象，在第4、5、10輪測(cè)試得分僅有590分左右，成績(jī)下跌超過(guò)3成，機(jī)身背面最高溫度為37.4℃。

　　（第7輪3DMark測(cè)試，左Xpaly5，右榮耀V8）

　　不得不說(shuō)，二者表現(xiàn)完全出乎意料之外，麒麟高制程16nm處理器在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載測(cè)試中卻難敵28nm處理器，為何會(huì)出現(xiàn)這種狀況呢？上圖是3DMark監(jiān)視器數(shù)據(jù)截圖，提供了CPU在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中的頻率變化情況，從圖中可見(jiàn)Xplay5 CPU最高頻率依然維持在1.8GHz，而榮耀V8 CPU的主頻卻因?yàn)樨?fù)載過(guò)高而降低到接近1.6GHz水平，遠(yuǎn)低于2.5GHz，難免得分降低。

　　當(dāng)28nm遇上Cortex-A72 驍龍652/650功耗表現(xiàn)是否過(guò)關(guān)？ 當(dāng)28nm遇上Cortex-A72 驍龍652/650功耗表現(xiàn)是否過(guò)關(guān)？

　?。ǖ?0輪3DMark測(cè)試，左Xpaly5，右榮耀V8）

　　到了第10輪測(cè)試中，Xplay5 CPU頻率曲線(xiàn)與第7輪相似，榮耀V8 CPU最高頻率保持不變，但測(cè)試全程中CPU平均頻率比第7輪要低，因此得分進(jìn)一步下降。再考慮到榮耀V8的溫度變化情況，可以得出一個(gè)結(jié)論，采用16nm FinFET麒麟955功耗實(shí)測(cè)情況不佳，在長(zhǎng)期高負(fù)載運(yùn)行下，榮耀V8為了保證處理器溫度控制在一定水平，會(huì)降低CPU頻率，犧牲性能而換取發(fā)熱控制。

　　驍龍652連續(xù)運(yùn)行3DMark性能不減可謂表現(xiàn)出色。不過(guò)現(xiàn)實(shí)的使用場(chǎng)景更為復(fù)雜，許多用戶(hù)為保證長(zhǎng)時(shí)間游戲，一邊充電一邊使用手機(jī)。在這種情況下，驍龍652 表現(xiàn)又會(huì)如何，在上述測(cè)試完成后將Xplay5與榮耀V8接入Anker 6口60W充電器，再運(yùn)行3輪3DMark測(cè)試：

　　充電時(shí)一部分電量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量，在快速充電時(shí)同一時(shí)間下涌進(jìn)手機(jī)的電量更多，造成手機(jī)發(fā)熱情況更明顯。從數(shù)值上看，此輪測(cè)試中Xplay5與榮耀V8背面最高溫度維持在37℃左右，可用手觸摸會(huì)感到榮耀V8是整個(gè)機(jī)身在發(fā)熱，Xplay5高溫區(qū)集中在機(jī)身上部。高溫區(qū)域擴(kuò)大最直接反應(yīng)是兩款手機(jī)成績(jī)均有下降，Xplay5降低了約8%（跟最初得分比較），榮耀V8則更是暴跌了38%。在這種極端情況下，驍龍652的表現(xiàn)依然遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)勝于麒麟955。

　　也許有人認(rèn)為3DMark測(cè)試屬于理論測(cè)試，并不能反應(yīng)驍龍652和麒麟955在連續(xù)運(yùn)行高負(fù)載任務(wù)，如3D大型游戲和駕車(chē)導(dǎo)航下的真實(shí)表現(xiàn)?，F(xiàn)在我們將測(cè)試進(jìn)行下去，讓驍龍652和麒麟955在《真實(shí)賽車(chē)3》的賽道上“跑”一圈。

　　上面是一段Xplay5、榮耀V8在進(jìn)行3DMark + 快充后運(yùn)行《真實(shí)賽車(chē)3》的視頻實(shí)拍，其中從3DMark切換到比賽開(kāi)始前的片段進(jìn)行快鏡頭處理。經(jīng)受了3DMark + 快充折磨下，Xplay5表現(xiàn)如常，游戲畫(huà)面非常流暢。而榮耀V8畫(huà)面不時(shí)出現(xiàn)卡頓和掉幀狀況，影響了玩家判斷及操作，比較突出是在1分23秒前后——當(dāng)屏幕下方彈出新提示，畫(huà)面突然停頓了，這是CPU降頻后性能不足所造成的。在《真實(shí)賽車(chē)3》的賽道上的表現(xiàn)，再次印證了前文的結(jié)論。

　　結(jié)語(yǔ)：審慎的成功

　　先進(jìn)的工藝卻帶來(lái)了落后的結(jié)果，可以說(shuō)明制程和工藝是部分原因，但廠(chǎng)商的優(yōu)化及技術(shù)的積累更為重要。在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載測(cè)試環(huán)境下，28HPm工藝的驍龍652性能遠(yuǎn)超16nm FinFET的麒麟955，即使在3DMark + 快充的極端使用情況下，前者僅損失8%性能，而后者卻損失高達(dá)38%。有了優(yōu)秀的設(shè)計(jì)以及選擇恰當(dāng)頻率，Cortex-A72核心在28nm依然能在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載的環(huán)境中擁有出色的表現(xiàn)，這是高通實(shí)力的證明，同時(shí)也是嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度的成功。