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4月手機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格漲跌幅排行榜

2017-06-14

2017年以來(lái)旭日大數(shù)據(jù)持續(xù)發(fā)布手機(jī)內(nèi)存芯片市場(chǎng)價(jià)格監(jiān)測(cè)報(bào)告,得到了市場(chǎng)的極大關(guān)注。為了更加直觀反映手機(jī)內(nèi)存的價(jià)格變動(dòng)情況,旭日大數(shù)據(jù)將持續(xù)發(fā)布手機(jī)內(nèi)存價(jià)格漲跌幅排行榜,敬請(qǐng)關(guān)注!

2017年4月,手機(jī)內(nèi)存芯片的價(jià)格環(huán)比有漲有跌。一體式手機(jī)內(nèi)存芯片eMCP價(jià)格整體都在上漲,但上漲幅度比較溫和,不同容量之間的漲幅差距不大,其中1GB+8GB漲幅最高,為4%;4GB+32GB甚至輕微下降0.5%。DRAM和Flash的價(jià)格環(huán)比增長(zhǎng)幅度差異較大,3GB的DRAM環(huán)比漲幅高達(dá)19.5%,而6GB的DRAM環(huán)比下降1.6%;64GB的Flash價(jià)格環(huán)比上升9.5%,128GB的Flash價(jià)格下降7%。旗艦機(jī)型以4GB的DRAM和64GB的Flash為內(nèi)存芯片組合的終端廠商4月面臨較大的成本壓力。

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注:手機(jī)內(nèi)存分為一體式和分立式。一體式內(nèi)存芯片把DRAM和Flash兩顆芯片合二為一,以eMCP為主流;分立式內(nèi)存芯片由DRAM和Flash組成,需DRAM和Flash兩顆芯片,目前高通驍龍835、驍龍821、驍龍820、驍龍652、海思麒麟9系列等采用的是分立式內(nèi)存芯片。

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