1月26日,據(jù)日經(jīng)報(bào)道,知情人士稱,在新進(jìn)投資者的推動(dòng)下,紫光集團(tuán)將放棄在重慶和成都的存儲(chǔ)廠建廠計(jì)劃,同時(shí)前日本爾必達(dá)社長(zhǎng)、紫光集團(tuán)高級(jí)副總裁兼日本分公司 CEO 坂本幸雄也已離職。

報(bào)道稱,紫光集團(tuán)終止的兩個(gè)項(xiàng)目之一是位于重慶的 DRAM 業(yè)務(wù)。此前,紫光集團(tuán)曾希望坂本幸雄執(zhí)掌 DRAM 業(yè)務(wù),通過其經(jīng)驗(yàn)和人脈在日本組建一個(gè) 100 多人的團(tuán)隊(duì),然后在重慶量產(chǎn)先進(jìn)的 DRAM 產(chǎn)品。

對(duì)于團(tuán)隊(duì)的組建,坂本幸雄曾對(duì)外表示,“日本還有許多能開發(fā)存儲(chǔ)器的人才。準(zhǔn)備了相當(dāng)于日企五六倍的報(bào)酬”。

但知情人士稱,招聘工作未能按預(yù)期順利進(jìn)行,加上紫光集團(tuán)遭遇財(cái)務(wù)危機(jī),以及美國阻撓之下獲取先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備面臨重重難關(guān),坂本在去年下半年就已離開紫光集團(tuán)。這一消息已被坂本的發(fā)言人證實(shí)。

紫光放棄的第二個(gè)存儲(chǔ)廠建廠計(jì)劃位于成都,自2016年以來,紫光集團(tuán)相繼在武漢、南京、成都建設(shè)起三座存儲(chǔ)芯片制造工廠。其中,位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢新芯的基礎(chǔ)上已成功設(shè)計(jì)并制造了中國首批3D NAND閃存芯片;

2018年8月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出全新3D NAND架構(gòu)Xtacking;不久之后,紫光集團(tuán)首次展出了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片。紫光集團(tuán)原本打算設(shè)立價(jià)值240億美元的3D NAND Flash芯片廠。紫光本來希望成都廠能復(fù)制長(zhǎng)江儲(chǔ)存(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)的成功制造經(jīng)驗(yàn)。

紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國公開表示,紫光集團(tuán)要在成都、南京等比例復(fù)制武漢工廠。

紫光重慶DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲(chǔ)芯片的制造,該工廠計(jì)劃于2019年底開工建設(shè),預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。

紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金,在重慶建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠、紫光科技園等。

在芯片工廠建成前,紫光集團(tuán)先期在現(xiàn)有芯片工廠內(nèi)設(shè)立產(chǎn)品中試生產(chǎn)線,進(jìn)行產(chǎn)品生產(chǎn)工藝技術(shù)研發(fā),待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產(chǎn)。

2020年底,曾有消息傳出,紫光集團(tuán)位于重慶、成都的存儲(chǔ)芯片廠計(jì)劃嚴(yán)重延遲,可能在紫光債務(wù)違約后撤銷。

去年7月,由于債務(wù)危機(jī)遲遲無法解決,紫光遭債權(quán)人申請(qǐng)宣告破產(chǎn)。去年12月,由北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(Beijing Jianguang Asset Management Co.)和北京智路資產(chǎn)管理有限公司(Wise Road Capital)帶頭的財(cái)團(tuán),成為紫光集團(tuán)最新奧援。1月17日北京地方法院批準(zhǔn)了此前已獲得債權(quán)人通過的重整計(jì)劃。