氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，上世紀90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導體研究的熱點，被譽為第三代半導體，其具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，因此能夠降低損耗、減少發(fā)熱，提供高效節(jié)能，使得元器件的體積能夠更加精簡，正因如此，氮化鎵技術的應用也越來越多，本文就帶大家了解一下氮化鎵技術應用在了哪些方面。

　　氮化鎵器件現(xiàn)在普遍應用在了構建放大器電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）中。其中大多數(shù)氮化鎵HEMT用于功率放大應用。然而，氮化鎵HEMT和其他晶體管變體也可用于低噪聲和寬帶放大器。如今，氮化鎵開關和二極管也變得越來越普遍，通常可用于取代砷化鎵（GaAs）、硅（Si）、硅鍺（SiGe）或磷化銦（InP）器件。

　　在新一代的電力電子器件制造中，如果使用氮化鎵，那么相較于用原來的硅材料，可以在體積上變得更小，而且在運行速率方面更快更高效。這就可以減少電力電子元件的質(zhì)量、體積，便于攜帶或者使用，還可以增加電力電子元件的使用壽命，從而減少生命周期成本。因為有了氮化鎵技術的支持，就可允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實現(xiàn)更高的性能。

　　充電器也是氮化鎵技術的一個主要應用方面。氮化鎵技術所具備的快速開關優(yōu)勢，提高了充電器的開關頻率，減小變壓器體積，并降低器件的散熱需求，從而顯著縮小了充電器的體積，使充電器具備更大的輸出功率，更多的輸出接口，深受消費者的喜愛。不同于普通充電器，車充由于受限于點煙器接口的尺寸限制，體積往往無法做大，如果采用傳統(tǒng)功率器件，輸出功率難以進一步提升。但是將氮化鎵功率器件應用在車充產(chǎn)品中，就能夠提升輸出功率，并且保持原有的體積不變。

　　在當下快速發(fā)展的5G通信中也有用到氮化鎵技術，射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵、砷化鎵和磷化銦是射頻應用中常用的半導體材料。而氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、低能耗、適合高頻率、支持寬帶寬等特點。

　　5G大功率基站氮化鎵功率放大器就是氮化鎵技術在5G中的一個重要應用，這種放大器主要應用于5G大功率基站中，解決了5G移動網(wǎng)絡中面積小但數(shù)據(jù)流量請求相對集中的問題。在5G毫米波的應用上，氮化鎵的高功率密度特性在實現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可以有效減少收發(fā)通道數(shù)和整體方案的尺寸。

　　文章整合自 NXP社區(qū) 粉體新世界 電子技術應用 電子技術應用設計

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