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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

適用于高成本效益的先進(jìn)電源應用
2024-06-27
來(lái)源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 超結MOSFET

【2024年6月26日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續產(chǎn)品。全新超結MOSFET實(shí)現了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管,適用于服務(wù)器和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源裝置(SMPS)、電動(dòng)汽車(chē)充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應用。

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600 V CoolMOS? 8 600 V QDPAK TSC

 

這些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封裝,不僅簡(jiǎn)化了設計,還降低了組裝成本。在10 V電壓下,600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET的柵極電荷(Qg)較CFD7降低了18%,較 P7降低了33%。在400 V電壓下,該產(chǎn)品系列的輸出電容COSS較CFD7和P7降低了50%,關(guān)斷損耗(Eoss) 較CFD7和P7降低了 12%,反向恢復電荷(Qrr)較CFD7降低了3%。此外,這些器件的反向恢復時(shí)間(trr)更短,熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。

憑借這些特性,該系列器件能夠在LLC和ZVS 相移全橋等軟開(kāi)關(guān)拓撲結構中實(shí)現高效率和高可靠性。它們在 PFC、TTF及其他硬開(kāi)關(guān)拓撲中同樣具有出色的性能水平。由于優(yōu)化了RDS(on),這些半導體器件擁有更高的功率密度,能使采用硅基超級結(SJ)技術(shù)的產(chǎn)品降低到7 mΩ的個(gè)位數值。

 

供貨情況

600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET樣品現已推出。

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