8月14日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)消息，國產(chǎn)存儲廠商長鑫存儲CXMT）大規(guī)模設(shè)備投資已經(jīng)重啟，計劃引進大量新設(shè)備擴大產(chǎn)能，以量產(chǎn)最新DRAM DDR5，并在此基礎(chǔ)上開發(fā)HBM3高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品。

消息稱，長鑫存儲第三季開始下訂設(shè)備，于安徽省合肥市生產(chǎn)基地建立產(chǎn)線。 長鑫存儲最初告知設(shè)備供應(yīng)商，年初開始訂購新設(shè)備大幅提升產(chǎn)能。 但受DDR4停產(chǎn)及美國可能有更嚴(yán)格出口禁令影響，新設(shè)備延后進廠。

根據(jù)預(yù)計，長鑫存儲2026年HBM產(chǎn)能有可能將達每月5萬片晶圓，相當(dāng)于三星和SK海力士2026年HBM產(chǎn)能的20%~25%。 在2025年第一季度的DRAM市場，長鑫存儲稱產(chǎn)能已經(jīng)占據(jù)了全球DRAM市場約6%的份額。

由于美國對華出口限制，中國大陸獲取HBM3及更高端的HBM受限。據(jù)英國《金融時報》報道稱，中美貿(mào)易談判中，中方要求美方放寬HBM出口管制。

在此背景之下，長鑫存儲也在加速推進HBM的國產(chǎn)化。據(jù)了解，目前長鑫存儲已經(jīng)完成了HBM2的開發(fā)，并加速推進HBM3的開發(fā)和量產(chǎn)。為此，長鑫存儲已經(jīng)開始停產(chǎn)DDR4，并將原有DDR4設(shè)備升級至DDR5產(chǎn)線。但是由于美國考慮將長鑫存儲列入實體清單的限制，迫使長鑫存儲的設(shè)備進口延期。

從目前來看，長鑫存儲的研發(fā)中HBM依舊大幅落后于SK海力士、三星等廠商，目前三星和SK海力士正在使用10納米級1b制程DRAM生產(chǎn)HBM3e，并準(zhǔn)備利用1c制程DRAM生產(chǎn)HBM4。 市場人士指出，長鑫存儲HBM商業(yè)化和進入市場還需要相當(dāng)長時間，對2026年HBM市場影響有限。