《電子技術(shù)應(yīng)用》
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簡析DDR內(nèi)存和LPDDR內(nèi)存為何無法互相替代

2025-08-18
來源:快科技
關(guān)鍵詞: 內(nèi)存 DDR LPDDR

大家在購買DIY配件的時(shí)候,看到的內(nèi)存類型是DDR(例如DDR4、DDR5),而購買筆記本、智能手機(jī)/平板電腦等產(chǎn)品看到的卻是LPDDR(例如LPDDR4,LPDDR5,以及增強(qiáng)版的LPDDR5x、LPDDR5t等)。

同樣都是內(nèi)存,DDR和LPDDR有什么不一樣呢?

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從應(yīng)用的場景看,DDR內(nèi)存更注重性能的釋放,架構(gòu)設(shè)計(jì)偏向于滿足高帶寬和持續(xù)高速運(yùn)算的需求,這意味著DDR不僅有更高的容量,運(yùn)行頻率也更高。

在使用場景方面,DDR內(nèi)存通常是將多個(gè)DRAM顆粒焊接在一塊標(biāo)準(zhǔn)化接口的直插式電路板上,即我們所說的內(nèi)存條,應(yīng)用場景方面分為臺式機(jī)、服務(wù)器和筆記本幾種型號。

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LPDDR全稱是Low Power DDR,設(shè)計(jì)核心在于低功耗,它優(yōu)化了架構(gòu)、簡化電路設(shè)計(jì)并采用更先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝,擁有更低的工作電壓。

例如DDR5通常使用1.1V,開啟XMP甚至能達(dá)到1.4V。

而LPDDR5擁有兩種電壓模式,當(dāng)系統(tǒng)有負(fù)載運(yùn)行時(shí),內(nèi)核和I/O操作的電壓分別為1.05V和0.5V,空閑時(shí)分別降至0.9V和0.3V,這對于提升電池續(xù)航是大有裨益的。

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同時(shí),LPDDR還擁有更高的存儲密度,例如最新的LPDDR5x單顆DRAM芯片就能達(dá)到32GB,滿足移動設(shè)備高集成度的要求,例如智能手機(jī)、平板電腦以及超薄筆記本或者二合一本。

不過LPDDR往往不是以直插內(nèi)存條形式存在(除了LPCAMM2),而是通過BGA焊接主板上,甚至集成在SOC上,例如蘋果Silicon和英特爾Lunar Lake移動處理器。

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性能方面,通常來說LPDDR是無法與DDR相抗衡的,例如DDR5內(nèi)存條可實(shí)現(xiàn)8800MT/s以上的性能,而LPDDR5通常是在6400MT/s左右。

不過LPDDR家族中帶x后綴的產(chǎn)品在低功耗狀態(tài)下仍能實(shí)現(xiàn)較高的效能,例如聯(lián)想ThinkBook X、是榮耀MagicBook Pro 14等筆記本的LPDDR5x內(nèi)存性能已能達(dá)到8400MT/s。

總結(jié)來說,DDR內(nèi)存和LPDDR內(nèi)存的技術(shù)路線完全不同,差異源于不同使用場景的設(shè)計(jì)優(yōu)化,前者注重性能和擴(kuò)展性,后者以低功耗、小體積和高效能比為核心優(yōu)勢,雖然犧牲了擴(kuò)展性,但進(jìn)一步減小了體積和功耗,符合移動設(shè)備的設(shè)計(jì)理念,而且?guī)в衳后綴的產(chǎn)品在性能方面表現(xiàn)甚至不遜于DDR。

不過使用LPDDR內(nèi)存的設(shè)備基本是無法擴(kuò)展的,購買的時(shí)候一定要注意。


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