國家標準委網(wǎng)站顯示，我國首個EUV光刻膠標準——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬立項標準，10月23日開始公示，截止時間為11月22日。標準的起草單位包括上海大學、張江國家實驗室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司。

作為我國首個EUV光刻膠標準，具有重要的現(xiàn)實意義。該標準的制定不僅能夠填補國內(nèi)在該領域的技術標準空白，更將通過建立統(tǒng)一的測試方法體系，為國內(nèi)外EUV光刻膠的性能評價提供客觀標尺。

具體而言，標準實施后將實現(xiàn)三大目標：一是推動測試數(shù)據(jù)互認，降低晶圓廠對國產(chǎn)材料的導入風險；二是促進測試設備國產(chǎn)化替代，有效壓縮研發(fā)成本；三是加速實現(xiàn)從“進口依賴”到“自主可控”的產(chǎn)業(yè)躍遷。

該標準的制定為我國EUV光刻膠關鍵核心技術的突破提供標準化支撐，推動國內(nèi)高端光刻膠產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)高質量可持續(xù)發(fā)展，提升我國在全球半導體材料領域的話語權和競爭力。

國產(chǎn)化率為0

EUV光刻膠是極紫外光刻的關鍵材料，工作波長為13.5nm，主要應用于7nm及以下制程的集成電路制造，是實現(xiàn)先進邏輯芯片、高端存儲芯片等微小化、高性能芯片生產(chǎn)的不可或缺的材料。

當前，隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)向先進制程加速演進，EUV光刻技術已成為7 nm及以下節(jié)點的唯一量產(chǎn)方案。但是，EUV光刻膠完全被國外先進半導體材料公司所壟斷（JSR、東京應化等占據(jù)超過95%全球市場份額），國產(chǎn)化率為零，國內(nèi)的研發(fā)也仍處于起步階段，亟需突破材料自主化與標準化壁壘。

目前，國內(nèi)在EUV光刻膠測試領域尚未建立統(tǒng)一的技術規(guī)范，現(xiàn)有測試方法多沿用國外企業(yè)標準，導致在靈敏度（E0）、線邊緣粗糙度（LER）等核心性能指標的檢測流程上缺乏標準化，這不僅使得國產(chǎn)材料的驗證周期長達1~2年，更嚴重制約了我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展。

標準的統(tǒng)一可明確光刻膠各項性能的最低要求和測試方法，確保不同批次、不同供應商的光刻膠能穩(wěn)定適配EUV光刻機，避免因材料波動導致芯片圖案缺陷。同時，減少芯片制造企業(yè)的適配測試成本，降低因材料不兼容引發(fā)的生產(chǎn)中斷風險，提升先進制程芯片的良品率。

技術不斷突破

作為半導體制造的關鍵材料，光刻膠國產(chǎn)化受到政策的高度重視，《“十四五”原材料工業(yè)發(fā)展規(guī)劃》將光刻膠列入新材料突破重點品種。

近期，EUV光刻膠基礎研究不斷取得突破，北京大學、南開大學、華東理工大學、清華大學均有相關研究成果出爐。

據(jù)科技日報報道，近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。

10月16日，南開大學現(xiàn)代光學研究所發(fā)布消息，其研究團隊在氧化鈦團簇光刻材料領域取得重要進展，成功實現(xiàn)原本光刻惰性的鈦氧簇表現(xiàn)出納米圖案化應用，并最終制備出12.9納米高分辨負性光刻圖案，為繼續(xù)發(fā)展鈦氧簇基EUV光刻膠奠定基礎。

9月19日，華東理工大學發(fā)布消息稱，該校先進光刻膠薄膜沉積制備研究獲進展，提出了一種間歇性旋涂化學液相沉積制備非晶態(tài)沸石咪唑酯骨架（aZIF）薄膜的方法，實現(xiàn)了薄膜沉積速率和厚度的可控，并進行了電子束光刻和超越極紫外光刻驗證。

7月28日，清華大學發(fā)布消息">稱，該?；瘜W系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展，開發(fā)出一種基于聚碲氧烷的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關鍵材料提供了新的設計策略。