國家標(biāo)準(zhǔn)委網(wǎng)站顯示，我國首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬立項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，10月23日開始公示，截止時(shí)間為11月22日。標(biāo)準(zhǔn)的起草單位包括上海大學(xué)、張江國家實(shí)驗(yàn)室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司。

作為我國首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)，具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。該標(biāo)準(zhǔn)的制定不僅能夠填補(bǔ)國內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)空白，更將通過建立統(tǒng)一的測試方法體系，為國內(nèi)外EUV光刻膠的性能評價(jià)提供客觀標(biāo)尺。

具體而言，標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施后將實(shí)現(xiàn)三大目標(biāo)：一是推動測試數(shù)據(jù)互認(rèn)，降低晶圓廠對國產(chǎn)材料的導(dǎo)入風(fēng)險(xiǎn)；二是促進(jìn)測試設(shè)備國產(chǎn)化替代，有效壓縮研發(fā)成本；三是加速實(shí)現(xiàn)從“進(jìn)口依賴”到“自主可控”的產(chǎn)業(yè)躍遷。

該標(biāo)準(zhǔn)的制定為我國EUV光刻膠關(guān)鍵核心技術(shù)的突破提供標(biāo)準(zhǔn)化支撐，推動國內(nèi)高端光刻膠產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量可持續(xù)發(fā)展，提升我國在全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的話語權(quán)和競爭力。

國產(chǎn)化率為0

EUV光刻膠是極紫外光刻的關(guān)鍵材料，工作波長為13.5nm，主要應(yīng)用于7nm及以下制程的集成電路制造，是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯芯片、高端存儲芯片等微小化、高性能芯片生產(chǎn)的不可或缺的材料。

當(dāng)前，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向先進(jìn)制程加速演進(jìn)，EUV光刻技術(shù)已成為7 nm及以下節(jié)點(diǎn)的唯一量產(chǎn)方案。但是，EUV光刻膠完全被國外先進(jìn)半導(dǎo)體材料公司所壟斷（JSR、東京應(yīng)化等占據(jù)超過95%全球市場份額），國產(chǎn)化率為零，國內(nèi)的研發(fā)也仍處于起步階段，亟需突破材料自主化與標(biāo)準(zhǔn)化壁壘。

目前，國內(nèi)在EUV光刻膠測試領(lǐng)域尚未建立統(tǒng)一的技術(shù)規(guī)范，現(xiàn)有測試方法多沿用國外企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致在靈敏度（E0）、線邊緣粗糙度（LER）等核心性能指標(biāo)的檢測流程上缺乏標(biāo)準(zhǔn)化，這不僅使得國產(chǎn)材料的驗(yàn)證周期長達(dá)1~2年，更嚴(yán)重制約了我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展。

標(biāo)準(zhǔn)的統(tǒng)一可明確光刻膠各項(xiàng)性能的最低要求和測試方法，確保不同批次、不同供應(yīng)商的光刻膠能穩(wěn)定適配EUV光刻機(jī)，避免因材料波動導(dǎo)致芯片圖案缺陷。同時(shí)，減少芯片制造企業(yè)的適配測試成本，降低因材料不兼容引發(fā)的生產(chǎn)中斷風(fēng)險(xiǎn)，提升先進(jìn)制程芯片的良品率。

技術(shù)不斷突破

作為半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵材料，光刻膠國產(chǎn)化受到政策的高度重視，《“十四五”原材料工業(yè)發(fā)展規(guī)劃》將光刻膠列入新材料突破重點(diǎn)品種。

近期，EUV光刻膠基礎(chǔ)研究不斷取得突破，北京大學(xué)、南開大學(xué)、華東理工大學(xué)、清華大學(xué)均有相關(guān)研究成果出爐。

據(jù)科技日報(bào)報(bào)道，近日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。

10月16日，南開大學(xué)現(xiàn)代光學(xué)研究所發(fā)布消息，其研究團(tuán)隊(duì)在氧化鈦團(tuán)簇光刻材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，成功實(shí)現(xiàn)原本光刻惰性的鈦氧簇表現(xiàn)出納米圖案化應(yīng)用，并最終制備出12.9納米高分辨負(fù)性光刻圖案，為繼續(xù)發(fā)展鈦氧簇基EUV光刻膠奠定基礎(chǔ)。

9月19日，華東理工大學(xué)發(fā)布消息稱，該校先進(jìn)光刻膠薄膜沉積制備研究獲進(jìn)展，提出了一種間歇性旋涂化學(xué)液相沉積制備非晶態(tài)沸石咪唑酯骨架（aZIF）薄膜的方法，實(shí)現(xiàn)了薄膜沉積速率和厚度的可控，并進(jìn)行了電子束光刻和超越極紫外光刻驗(yàn)證。

7月28日，清華大學(xué)發(fā)布消息">稱，該?；瘜W(xué)系許華平教授團(tuán)隊(duì)在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進(jìn)展，開發(fā)出一種基于聚碲氧烷的新型光刻膠，為先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵材料提供了新的設(shè)計(jì)策略。