10月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道稱，我國芯片領(lǐng)域取得新突破，具體來說是在光刻膠領(lǐng)域。

北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然通訊》。

光刻膠如同刻畫電路的顏料，它在顯影液中的運(yùn)動(dòng)，直接決定電路畫得準(zhǔn)不準(zhǔn)、好不好，進(jìn)而影響芯片良率。

長期以來，光刻膠在顯影液中的微觀行為是“黑匣子”，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復(fù)試錯(cuò)，這成為制約7nm及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。

研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5nm的微觀三維“全景照片”，一舉克服了傳統(tǒng)技術(shù)無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點(diǎn)。

彭海琳表示，冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應(yīng)提供了強(qiáng)大工具。深入掌握液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為，可推動(dòng)先進(jìn)制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。