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ASML称High NA EUV更省时间与成本

2025-11-21
來源:芯智讯
關(guān)鍵詞: ASML HighNAEUV 光刻机

光刻機(jī)大廠ASML于11月19日在中國臺灣舉行媒體會,ASML中國臺灣暨東南亞區(qū)客戶營銷主管徐寬成指出,隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)持續(xù)不斷微縮,High NA EUV光刻機(jī)將有助于客戶節(jié)省時(shí)間及成本,目前客戶已有英特爾、IBM 及三星等,累積超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機(jī)曝光。

徐寬成說,當(dāng)今社會正從芯片無所不在,轉(zhuǎn)變成人工智能(AI)無所不在。AI將驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體先進(jìn)及成熟制程需求成長,預(yù)期2030年全球半導(dǎo)體銷售額將突破1萬億美元大關(guān)。

當(dāng)前摩爾定律的延續(xù)雖然有挑戰(zhàn),不過未來10至15年仍會依照摩爾定律方向持續(xù)發(fā)展,半導(dǎo)體制程技術(shù)仍將不斷微縮。徐寬成說,過去在浸潤式光刻推進(jìn)至極紫外光(EUV)光刻時(shí),業(yè)界就曾出現(xiàn)過雜音,目前High NA EUV面臨同樣的情況。

徐寬成這里所說的關(guān)于High NA EUV的雜音,主要是指業(yè)界有觀點(diǎn)認(rèn)為,High NA EUV太過昂貴,投入使用所帶來的收益將不成比例。

此前,臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)及全球銷售高級副總裁張曉強(qiáng)就曾公開表示,雖然對High NA EUV能力印象深刻,但設(shè)備價(jià)格超過 3.5 億歐元(3.78 億美元)。目前的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī),仍可以支持臺積電尖端制程的生產(chǎn)到2026年,臺積電尖端制程A16也將會繼續(xù)采用標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)來進(jìn)行生產(chǎn)。隨后,在荷蘭阿姆斯特丹舉行的臺積電技術(shù)論壇歐洲站活動(dòng)上,張曉強(qiáng)再度重申了其對High NA EUV光刻機(jī)的長期立場,該公司的A16(1.6nm級)和 A14(1.4nm級)工藝技術(shù)都不會采用 High NA EUV光刻機(jī)。

對此,徐寬成指出,High NA EUV設(shè)備因具有更高成像質(zhì)量及簡化流程優(yōu)勢,有助于客戶節(jié)省時(shí)間與成本。

據(jù)徐寬成介紹,目前ASML的High NA EUV客戶有英特爾(Intel)、IBM及三星(Samsung),累計(jì)超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機(jī)制造。不過,今年9月3日,SK海力士公司曾宣布,該公司已經(jīng)在韓國利川的M16制造工廠安裝了首個(gè)High NA EUV(高數(shù)值孔徑極紫外光刻)系統(tǒng)并投入量產(chǎn)。

除了瞄準(zhǔn)尖端制程的High NA EUV之外,ASML也持續(xù)優(yōu)化深紫外光(DUV)微影設(shè)備,協(xié)助客戶以更低成本滿足大量DUV曝光需求。此外,ASML還推出XT:260,以支持先進(jìn)封裝應(yīng)用。


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