11月27日消息，據(jù)韓國媒體dealsite報道，繼SK海力士完成了與英偉達的HBM4供應價格談判之后，三星電子與英偉達的HBM4供應價格談判也進入了最后階段。雖然三星電子此前供應的12層堆疊的HBM3E的單價相對較低，但是對于12層堆疊的HBM4的供應價格，三星電子的目標是與SK海力士持平，即維持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供應價格提升了超過150%。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，英偉達在與SK海力士敲定明年的HBM4供貨合同僅一周后，便邀請三星電子參與明年HBM4供應的價格談判。目前談判已進入最后階段，預計年內(nèi)將做出最終決定。

一位熟悉該公司情況的官員表示：“我們目前內(nèi)部判斷，三星電子的HBM4 的主要性能，包括速度，優(yōu)于 SK 海力士的產(chǎn)品。”他還表示：“我們之前向英偉達提供的12層堆疊的HBM3E價格相對較低，但我們正在與英偉達談判，目標是以英偉達與 SK海力士簽訂HBM4供應合同的價格相當?！?/p>

此前的報道顯示，SK海力士和英偉達最近達成的明年HBM4供貨價格約為500美元中段?？紤]到SK海力士12層堆疊的HBM3E的定價在300美元中段，這意味著價格上漲超過50%。雖然SK海力士在臺積電生產(chǎn)的HBM4芯片總成本比上一代產(chǎn)品增加了30%，但該公司獲得了相應的溢價，從而顯著抵消了成本負擔。

目前，三星電子的HBM3E芯片價格比SK海力士的同類產(chǎn)品低約30%。一位消息人士解釋說：“三星電子此前已為英偉達預留了HBM3E芯片，但由于認證延遲，導致產(chǎn)品無法及時出貨，迫使該公司緊急將產(chǎn)品供應給其他大型科技公司。這部分產(chǎn)品不得不以更低的價格出售，從而拉低了平均單價?！?據(jù)報道，三星電子的HBM3E芯片供應價格在200美元左右。

顯示，三星電子要求對英偉達供應HBM4的價格與SK海力士一致，這也意味著三星希望供應價格也能夠提高到超過500美元，相比之前的HBM3E的200美元供應價格提升了超過150%。

需要指出的是，三星電子正在避免導致其在 DRAM 領域失去主導地位的錯誤，正在利用更先進的1c DRAM 的 HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)，來確保對SK海力士的基于1b DRAM的HBM4的競爭優(yōu)勢。而這或許也是三星電子要求對英偉達供應HBM4的價格與SK海力士相當?shù)牡讱狻Ａ硪环矫?，目前明年市場對于HBM4的需求已經(jīng)超過了市場供應，畢竟目前只有SK海力士和三星電子具有HBM4量產(chǎn)供應能力，所以三星電子自然是不愿意降低單價。

一位半導體行業(yè)內(nèi)部人士表示：“英偉達對HBM4的需求如此之高，以至于三星電子希望以高價確保供應。目前，三星電子沒有理由降低單價?！?他補充道：“即使他們降價，價格差異也不會很大?！?這表明三星電子在談判桌上占據(jù)相對優(yōu)勢。

另外，為了滿足市場對于HBM4的需求，提升對于SK海力士的競爭力，三星電子計劃在明年年底前將其HBM4的1C DRAM產(chǎn)能從目前的每月2萬片晶圓提高到每月15萬片晶圓。

一位三星電子公司官員解釋說：“我們計劃明年將 1c DRAM 產(chǎn)能每月增加約 8 萬片晶圓”，并且“如果算上現(xiàn)有成熟工藝線改造為 1c DRAM的產(chǎn)能，我們明年每月將能夠分配約 15 萬個1c DRAM晶圓用于 HBM4?！?/p>

HBM 樣品分為 WD（工作芯片）→ ES（工程樣品）→ CS（客戶樣品）三類。三星電子已于去年 9 月向英偉達交付了 ES 樣品，認證結(jié)果將于本月公布。一旦獲得批準，必須立即提交量產(chǎn)樣品。整個流程完成后，最終認證結(jié)果將于明年初公布。

業(yè)內(nèi)人士最初預計，即便三星電子明年初通過最終認證并立即開始量產(chǎn)，產(chǎn)品出貨也要等到明年下半年。然而，隨著近期市場對英偉達HBM4的需求激增，一些人預測三星電子最早可能在明年第二季度就開始供應芯片。這將打破SK海力士在上半年壟斷英偉達HBM4供應的格局，并將兩家公司之間的供應差距從半年一次縮小到季度一次。

然而，要實現(xiàn)這一愿景，提早實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)必不可少。目前，三星電子1c DRAM的HBM4標準良率僅為50%。另一位半導體行業(yè)內(nèi)部人士解釋說：“最大的挑戰(zhàn)是良率，而非質(zhì)量?！彼€表示：“雖然有人擔心發(fā)熱問題，但目前已得到顯著改善。包括英偉達在內(nèi)的主要客戶也更注重速度而非發(fā)熱，因此不存在重大問題。”三星電子的HBM4核心芯片采用1c DRAM，邏輯芯片則采用4nm工藝制造。雖然這種先進工藝相比競爭對手在速度和能效方面具有優(yōu)勢，但也可能導致發(fā)熱。