12 月 12 日消息，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會美國加州當(dāng)?shù)貢r間 11 日宣布，其已接近完成 SPHBM4 內(nèi)存規(guī)范。這里的 "SP" 是 "Standard Package"（標(biāo)準封裝）的首字母簡寫。
SPHBM4 使用與標(biāo)準 HBM4 相同的 DRAM 核心層，兩者在容量擴展上沒有差異。區(qū)別在于，SPHBM4 在接口基礎(chǔ)裸片 (Interface Base Die) 部分采用了不同的設(shè)計，可安裝在標(biāo)準有機基板而不是硅基板上。
此外，標(biāo)準 HBM4 內(nèi)存擁有 2048 個 I/O 數(shù)據(jù)引腳，而在 SPHBM4 上這一數(shù)量將降低到 512 個。為實現(xiàn)相當(dāng)?shù)目倲?shù)據(jù)傳輸速率，SPHBM4 將具有更高的工作頻率并采用 4:1 串行化技術(shù)。這也是為了配合有機基板支持的凸點間距密度更低的材料特性。
SPHBM4 使用有機基板布線的一大好處是在 SoC 和 HBM 內(nèi)存堆棧間允許更長的線徑，這有利于提升單一封裝中集成的堆棧數(shù)量，從而進一步提高系統(tǒng)內(nèi)存總?cè)萘俊?/p>
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