【2025年11月28日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）宣布與領(lǐng)先的快充電源設(shè)備制造商安克（Anker）擴大合作，共同開發(fā)新一代高速充電器，實現(xiàn)高達 160W 功率的輸出，同時保持緊湊、便攜的口袋級尺寸。這一合作成果正在重新定義高功率密度和高效率的行業(yè)標準，尤其體現(xiàn)在安克推出的 160W Prime 充電器上。這款業(yè)界領(lǐng)先的設(shè)備采用英飛凌最新的 XDP? 數(shù)字控制器以及基于氮化鎵（GaN）的 CoolGaN? 晶體管技術(shù)，實現(xiàn)了如信用卡般小巧的設(shè)計，使其成為旅行者和專業(yè)人士的理想選擇。

英飛凌科技氮化鎵業(yè)務(wù)線負責人 Johannes Schoiswohl 表示：“在英飛凌，我們堅信釋放安克充電器技術(shù)全部潛力的關(guān)鍵在于系統(tǒng)化的整體解決方案。通過設(shè)計并優(yōu)化包括氮化鎵器件、驅(qū)動器以及控制單元在內(nèi)的整個系統(tǒng)，我們在充電器中實現(xiàn)了前所未有的效率、功率密度和可靠性。與安克攜手，我們致力于提供高性能、緊湊型且高能效的充電解決方案，以滿足當今移動設(shè)備日益嚴苛的需求?！?nbsp;

英飛凌的數(shù)字控制技術(shù)確保了精確的能量管理，而基于氮化鎵的器件在高頻和高效功率轉(zhuǎn)換方面表現(xiàn)出色。通過將功率因數(shù)校正（PFC）與混合反激式控制（HFB）階段集成，既縮小了尺寸，又提升了整體性能，英飛凌 XDP XDPS2221E 混合反激數(shù)字組合控制器提升了充電器的能效，在不影響可靠性的前提下實現(xiàn)更高的功率密度。該技術(shù)可使任意單個 USB-C 端口輸出高達 140 W 的功率，并智能分配總功率 160 W 至三臺設(shè)備。其他關(guān)鍵器件包括帶集成驅(qū)動器的 CoolGaN? Drive 700 V G5 以及集成2個 GaN 晶體管于單封裝的 CoolGaN? Transistor Dual 650 V G5，不僅節(jié)省了電路板空間，還優(yōu)化了布局設(shè)計。 

通過采用高效設(shè)計、高頻開關(guān)、軟開關(guān)控制以及數(shù)字組合控制技術(shù)，并結(jié)合多項專利創(chuàng)新，英飛凌優(yōu)化了安克 Prime 充電器的整體系統(tǒng)性能。這不僅在相同尺寸內(nèi)實現(xiàn)了更高的輸出功率，還減少了外圍器件數(shù)量，降低了物料清單（BOM）成本。 

此次合作得益于英飛凌與安克在深圳設(shè)立的創(chuàng)新應(yīng)用中心。該中心致力于研發(fā)更高能效、更低碳排放的充電解決方案，支持低碳化進程，并推動快充領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展。

供貨情況

點擊此處了解關(guān)于英飛凌 XDP XDPS2221E 混合反激式控制器的更多信息，點擊此處了解關(guān)于 CoolGaN 功率半導體的更多信息。