12月8日消息，據(jù)最新曝光的一份瑞銀報告稱，中國半導體設(shè)備大廠北方華創(chuàng)（NAURA）90:1高縱橫比蝕刻方面可能取得了重大進展，這類刻蝕設(shè)備將可助力300層以上的NAND Flash閃存的生產(chǎn)。

瑞銀指出，如果北方華創(chuàng)最終能獲得國內(nèi)NAND Flash晶圓廠客戶的訂單，這可能意味著數(shù)億甚至數(shù)十億美元的新增市場機會。此外，考慮到中國對先進邏輯芯片的需求反饋積極，認為北方華創(chuàng)來自國內(nèi)先進邏輯芯片客戶的收入還有進一步增長的空間。

據(jù)此，瑞銀將北方華創(chuàng)2026/2027年的晶圓廠設(shè)備（WFE）收入預(yù)測分別上調(diào)了1%和8%。

隨著3D NAND技術(shù)的發(fā)展，其堆疊層數(shù)也越來越高，目前正在往300層以上方向發(fā)展。這就像是蓋數(shù)百層的“摩天大樓”，而每層之間的連通則需要通過極高深寬比的深孔刻蝕設(shè)備來挖出數(shù)百層樓深、且極其狹窄的“電梯井”

而每一層的材料總厚度是固定的，通常達到幾微米，如果要將數(shù)百層都互聯(lián)起來，就需要通過極高深寬比的深孔刻蝕設(shè)備來將數(shù)百層都打通，而這些結(jié)構(gòu)必須筆直、均勻且互不干擾。而且為了在單位面積內(nèi)塞入更多存儲單元，那么每個垂直通道孔的直徑必須做得非常小，目前已經(jīng)進入幾十納米的量級。對于200層以上的3D NAND，這個比值輕松超過 60:1，并且隨著層數(shù)增加（更深）和工藝微縮（孔徑更?。?，這個比例還在不斷增大，對于300層以上的3D NAND就需要90:1甚至100:1邁進。這也是半導體制造中要求最苛刻的刻蝕工藝之一。

值得一提的是，此前，國內(nèi)的刻蝕設(shè)備龍頭中微公司就已經(jīng)宣布，在面向存儲領(lǐng)域所要求的高深寬比的深孔刻蝕方面，實現(xiàn)90:1的深孔刻蝕，并正在突破100:1的深孔刻蝕。