12月29日消息，“上?？萍肌惫娞柊l(fā)文，12月27日，在上海市科委第四代半導(dǎo)體戰(zhàn)略前沿專項支持下，中國科學(xué)院上海光機(jī)所（以下簡稱“上海光機(jī)所”）聯(lián)合杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業(yè)”），在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB 法）制備出8英寸氧化鎵晶體。

氧化鎵是第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域代表性材料，因禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高，在超高壓功率器件領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值。

上海光機(jī)所作為國內(nèi)較早從事氧化鎵晶體研究的單位，在VB法方面，聯(lián)合富加鎵業(yè)大力發(fā)展提升關(guān)鍵裝備制造、高精度模擬仿真、確定性熱場設(shè)計三大核心技術(shù)。

2024年7月在國內(nèi)首次實現(xiàn)3英寸晶體制備，2024年12月成功制備4英寸晶體，2025年9月在國內(nèi)首次實現(xiàn)6英寸晶體制備，2025年12月刷新國際VB法制備氧化鎵晶體的最大尺寸紀(jì)錄。

與其他方法相比，VB法在制備氧化鎵晶體方面具有多項顯著優(yōu)勢，是實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的理想路徑：生長過程無需使用銥金，大大降低生長成本；生長過程溫度場均勻、溫度梯度小，更易實現(xiàn)大尺寸、高質(zhì)量氧化鎵晶體的生長；可生長柱狀晶體，有效提升材料制備效率；生長過程穩(wěn)定，更適合自動、規(guī)?；a(chǎn)。

下一步，上海光機(jī)所、富加鎵業(yè)將會同下游用戶加快開展器件端對材料端的應(yīng)用驗證，持續(xù)迭代氧化鎵材料及器件性能，全力推動氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。