1月18日消息，據(jù)“中核集團”公眾號發(fā)文，由中核集團中國原子能科學研究院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機（POWER-750H）已成功實現(xiàn)出束，其核心指標達到國際先進水平。

這標志著我國全面掌握了該型設備的全鏈路研發(fā)技術，攻克了功率半導體制造鏈上的關鍵環(huán)節(jié)，為推進高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定了堅實基礎。

離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備并稱為芯片制造“四大核心裝備”，是半導體制造中不可或缺的關鍵設備。長期以來，我國高能氫離子注入機完全依賴進口，由于研發(fā)難度大、技術壁壘高，成為制約我國戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一。

原子能院依托在核物理加速器領域數(shù)十年的技術積累，以串列加速器技術為核心，攻克了一系列難題，實現(xiàn)了從底層原理到整機集成的完全正向設計能力，成功打破了國外在該領域的技術封鎖與長期壟斷。

此次高能氫離子注入機的研制成功，是核技術與半導體產(chǎn)業(yè)深度融合的重要成果，將有力提升我國在功率半導體等關鍵領域的自主保障能力，并為助力實現(xiàn)“雙碳”目標、加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力提供堅實的技術支撐。