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英伟达苹果等百万年薪挖角HBM与NAND人才

2026-02-25
來源:快科技

2月25日消息,據(jù)報道,隨著內(nèi)存在AI算力中的戰(zhàn)略地位飆升,美國科技巨頭正掀起針對韓國存儲人才的搶人大戰(zhàn)。

報道稱,美國科技巨頭正在針對三星電子和SK海力士的工程師開展定向招聘活動,旨在縮小這兩家公司在內(nèi)存市場長期以來的領(lǐng)先優(yōu)勢。

本月早些時候,NVIDIA發(fā)布了面向HBM開發(fā)工程師的職位空缺,基礎(chǔ)薪資高達258750美元(約178萬元人民幣);蘋果則在上個月發(fā)布了NAND產(chǎn)品工程師職位,年薪達到305600 美元(約210萬元人民幣)。

報道進一步指出,中國臺灣的聯(lián)發(fā)科也加入了競爭,尋求HBM工程師,薪酬約為260000美元,高通同樣開始在韓國招聘3D DRAM研發(fā)人員。

谷歌與博通作為TPU合作伙伴,同步在硅谷擴充HBM人才梯隊,分別招募性能評估工程師和高頻接口設(shè)計驗證專家。

特斯拉CEO馬斯克親自轉(zhuǎn)發(fā)韓國分公司AI半導(dǎo)體設(shè)計師招聘啟事,美光同樣激進,去年下半年起從三星、SK海力士挖角工程師,據(jù)傳為核心HBM專家開出兩倍現(xiàn)有薪資加3億韓元簽約金的條件。

面對嚴(yán)重的人才流失,三星和SK海力士不得不采取激進的激勵措施,SK海力士在2026年初發(fā)放了創(chuàng)紀(jì)錄的業(yè)績獎金,金額高達月薪的2964%;三星半導(dǎo)體部門也發(fā)放了年度總薪資47%的獎金,這也是自AI內(nèi)存熱潮以來的最高水平。

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