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三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%

3月25日消息，據(jù)媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經(jīng)實現(xiàn)了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落后于競爭對手臺積電。除此之外，臺積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對手臺積電的機會。報道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進行了改進。然而，這并沒有為三星吸引更多客戶。一份報告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認(rèn)可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預(yù)見的未來將繼續(xù)選擇臺積電。本月初，韓國媒體報道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同。”

發(fā)表于：3/26/2024

SEMI：中國12英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備支出將領(lǐng)先全球

據(jù)美國《福布斯》雜志網(wǎng)站24日報道，美國半導(dǎo)體行業(yè)組織國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）近日發(fā)布的最新報告預(yù)測，中國大陸將在主流300毫米（12英寸）半導(dǎo)體工廠設(shè)備支出方面領(lǐng)先全球，未來4年每年的投資將達(dá)到300億美元。中國臺灣和韓國緊隨其后。

發(fā)表于：3/26/2024

高通谷歌和英特爾共同向英偉達(dá)發(fā)起挑戰(zhàn)

3月26日消息，據(jù)國外媒體報道，高通、谷歌和英特爾等巨頭集體向“AI霸主”英偉達(dá)發(fā)起挑戰(zhàn)，欲打破CUDA“一家獨大”的局面。報道稱，高通、谷歌和英特爾等科技公司參與的UXL基金會正計劃開發(fā)一套軟件和工具，使計算機代碼能夠在任何架構(gòu)的AI芯片和硬件上運行，從而打破芯片巨頭所主導(dǎo)的AI生態(tài)。高通人工智能和機器學(xué)習(xí)主管Vinesh Sukumar接受采訪時表示：“我們實際上是在向開發(fā)者展示如何從英偉達(dá)平臺遷移出來?！? 從長遠(yuǎn)的角度來看，由于英偉達(dá)CUDA產(chǎn)生的深遠(yuǎn)影響力，UXL的最終目標(biāo)是支持英偉達(dá)硬件和CUDA生態(tài)代碼。目前英偉達(dá)在AI芯片市場斬獲了高達(dá)90%的壟斷性份額，主要歸功于其高性能AI GPU和軟硬件協(xié)同系統(tǒng)CUDA。但是業(yè)績普遍認(rèn)為，隨著英偉達(dá)競爭對手AMD、Groq等紛紛推出性能比肩英偉達(dá)的AI芯片，CUDA這一軟硬件協(xié)同運算平臺“壟斷性的優(yōu)勢”才是英偉達(dá)壟斷AI芯片市場的最核心。基于CUDA的AI軟硬件一體化系統(tǒng)為英偉達(dá)創(chuàng)建了一條極其寬闊的“護城河”，使得AMD等競爭對手很難與英偉達(dá)在部署AI應(yīng)用方面相匹配。

發(fā)表于：3/26/2024

美國企業(yè)對5家中國光連接企業(yè)提起337調(diào)查申請

據(jù)商務(wù)部官網(wǎng)，2024年3月22日，美國US Conec, Ltd.公司依據(jù)《美國1930年關(guān)稅法》第337節(jié)規(guī)定，向美國國際貿(mào)易委員會提出申請，指控對美出口、在美進口或在美銷售的特定光纖連接器、適配器、跨接電纜、跳線以及下游產(chǎn)品及組件侵犯其專利權(quán)，請求發(fā)起337調(diào)查，并發(fā)布普遍排除令、有限排除令和禁止令。中國5家企業(yè)涉案。美國企業(yè)對5家中國光連接企業(yè)提起337調(diào)查申請

發(fā)表于：3/26/2024

2025年我國將初步建成煤礦智能化標(biāo)準(zhǔn)體系

3 月 25 日消息，國家能源局日前印發(fā)《煤礦智能化標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》（以下簡稱《建設(shè)指南》），要求到 2025 年，初步建立起結(jié)構(gòu)合理、層次清晰、分類明確、科學(xué)開放的煤礦智能化標(biāo)準(zhǔn)體系，滿足煤礦智能化建設(shè)基本需求。《建設(shè)指南》要求到 2030 年，煤礦智能化標(biāo)準(zhǔn)體系基本完善，在智能化煤礦設(shè)計、建井、生產(chǎn)、管理、運維、評價等環(huán)節(jié)形成較為完善的系列標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)表于：3/26/2024

Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進水平

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年3月14日 —日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

發(fā)表于：3/25/2024

e絡(luò)盟開售Traco Power 5-50瓦緊湊型封裝TMPW系列產(chǎn)品

　　中國上海，2024年3月13日—安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟現(xiàn)貨發(fā)售Traco Power的TMPW 系列超緊湊型直流、交流電源。

發(fā)表于：3/25/2024

Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年3月13日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出適于IrDA®應(yīng)用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外（IR）收發(fā)器模塊，鏈路距離延長20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 數(shù)據(jù)速率（SIR），鏈路距離為1米，適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動化控制、手機和醫(yī)療設(shè)備無線通信和數(shù)據(jù)傳輸。為提高便攜式設(shè)備電池使用壽命，模塊降低了功耗，閑置供電電流 < 70 μA，關(guān)斷模式 < 1 μA。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士展示新一代GDDR7顯存

據(jù)媒體報道，SK海力士近期展出的GDDR7顯存無疑成為了業(yè)界關(guān)注的焦點。據(jù)悉，SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb，傳輸速度可達(dá)40Gbps，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，并且可以提供160GB/s的顯存帶寬。這意味著在相同時間內(nèi)，SK海力士的GDDR7顯存可以處理更多數(shù)據(jù)，從而大大提升顯卡的整體性能。

發(fā)表于：3/25/2024

長江存儲QLC閃存已做到4000次PE的超長壽命

發(fā)表于：3/25/2024

2024年全球半導(dǎo)體材料市場將同比增11%

半導(dǎo)體材料市場信息咨詢公司TECHCET 預(yù)測今年全球半導(dǎo)體材料市場將出現(xiàn)反彈。2023年整體半導(dǎo)體行業(yè)環(huán)境低迷，同比下降6%后，隨著形勢轉(zhuǎn)好，2024年預(yù)計將增長近7%。 TECHCET預(yù)計半導(dǎo)體材料行業(yè)的收入在未來5年期間將持續(xù)增長，2028年的年銷售額預(yù)計將超過880億美元。

發(fā)表于：3/25/2024

首個國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群正式啟用

3月24日消息，中國電信官方宣布，首個國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群，天翼云上海臨港國產(chǎn)萬卡算力池正式啟用，首批用戶也同時入駐。據(jù)介紹，這不僅是國內(nèi)首個投入正式運營的國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群，也是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的全國產(chǎn)化云智一體公共智算中心。該集群采用新一代國產(chǎn)AI算力，通過高速RDMA連接各物理機節(jié)點，提供低延時、高吞吐量、無損通信網(wǎng)絡(luò)和強大的并行計算能力，多項技術(shù)指標(biāo)領(lǐng)跑全國。該集群還最高可支持萬億參數(shù)大模型，滿足AI計算、深度學(xué)習(xí)、圖形渲染等復(fù)雜訓(xùn)練任務(wù)對算力的要求。有機構(gòu)認(rèn)為，雙碳背景下，IDC綠色化是大勢所趨，液冷或是散熱技術(shù)演變的必經(jīng)之路，隨著PUE要求不斷嚴(yán)格，液冷散熱優(yōu)勢逐漸凸顯，無論是IDC新建需求還是存量改造需求，液冷均有望成為首選。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士將斥資900億美元打造全新半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

3月24日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士計劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）。據(jù)悉，新的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨立的晶圓廠，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計劃，但由于許可問題，開發(fā)被推遲。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達(dá)成的協(xié)議，這項計劃已獲得進展。

發(fā)表于：3/25/2024

IBM2024年將發(fā)力混合云和AI，加碼大模型落地B端

發(fā)表于：3/25/2024

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！ 3月22日，前臺積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺灣科學(xué)及技術(shù)委員會“科學(xué)、民主與社會研究中心”（DSET）主辦的《供應(yīng)鏈重組與經(jīng)濟安全》國際論壇上表示，中國面對美國對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展，但是需多少時間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系。近年來，在官方支持及內(nèi)部需求的推動之下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。即便是在美國聯(lián)合日本、荷蘭持續(xù)通過限制半導(dǎo)體設(shè)備出口來阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步。

發(fā)表于：3/25/2024