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工信部發(fā)布151項(xiàng)人工智能賦能新型工業(yè)化典型應(yīng)用案例

1 月 2 日消息，據(jù)工信部今日公告，根據(jù)《關(guān)于組織開展人工智能賦能新型工業(yè)化典型應(yīng)用案例征集工作的通知》（工信廳科函〔2024〕301 號(hào)），經(jīng)單位推薦、專家評(píng)審和網(wǎng)上公示等環(huán)節(jié)，確定了 151 項(xiàng)人工智能賦能新型工業(yè)化典型應(yīng)用案例。工信部公告稱，請(qǐng)各地工業(yè)和信息化主管部門、中央企業(yè)加大對(duì)典型應(yīng)用案例的政策、資金及項(xiàng)目支持力度，切實(shí)發(fā)揮案例示范引領(lǐng)作用，推動(dòng)人工智能在新型工業(yè)化的應(yīng)用推廣，加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力。

發(fā)表于：1/2/2025

曝高通因臺(tái)積電報(bào)價(jià)太高開始測(cè)試三星2nm工藝

1月1日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在新竹寶山工廠開始了2nm工藝的試產(chǎn)工作，隨著2nm工藝的到來(lái)，其價(jià)格也隨之上漲。據(jù)悉，臺(tái)積電2nm晶圓的價(jià)格已經(jīng)超過(guò)了3萬(wàn)美元，相比之下，目前3nm晶圓的價(jià)格大約在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元之間。

發(fā)表于：1/2/2025

臺(tái)積電2nm已經(jīng)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)約5000片

據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，在臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠即將量產(chǎn)4nm之際，臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的2nm量產(chǎn)計(jì)劃也在持續(xù)推進(jìn)。業(yè)界傳聞顯示，臺(tái)積電已于竹科寶山廠已小量風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)2nm制程約5,000片，相關(guān)進(jìn)展順利，2nm有望如期量產(chǎn)，后續(xù)高雄廠也將跟進(jìn)量產(chǎn)2nm。

發(fā)表于：1/2/2025

日月光攜手封裝基板產(chǎn)業(yè)成立AI應(yīng)用聯(lián)盟

日月光攜手封裝基板產(chǎn)業(yè)開發(fā)AI檢測(cè)技術(shù)，成立AI應(yīng)用聯(lián)盟

發(fā)表于：1/2/2025

韓國(guó)2024年芯片出口飆升43.9%創(chuàng)新高

1月1日消息，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部公布的數(shù)據(jù)顯示，由于來(lái)自中國(guó)的需求增加且半導(dǎo)體銷售保持彈性，韓國(guó)12月出口保持增長(zhǎng)勢(shì)頭。韓國(guó)12月份經(jīng)工作日差異調(diào)整后的出口額較上年同期增長(zhǎng)4.3%，未經(jīng)調(diào)整的出口增長(zhǎng)6.6%，整體進(jìn)口增長(zhǎng)3.3%，貿(mào)易順差為65億美元，連續(xù)19個(gè)月保持順差。

發(fā)表于：1/2/2025

Imagination CEO被指控將關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)讓被迫離職

2025年1月1日消息，據(jù)英國(guó)媒體Telegraph報(bào)道，英國(guó)半導(dǎo)體IP公司Imagination Technologies的首席執(zhí)行官Simon Beresford-Wylie 因?yàn)楸恢缚貙㈥P(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)讓給中國(guó)而被迫辭職。

發(fā)表于：1/2/2025

韓國(guó)中小半導(dǎo)體企業(yè)正在轉(zhuǎn)向英偉達(dá)和臺(tái)積電

1月1日消息，據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)的中小型半導(dǎo)體企業(yè)開始跟隨著英偉達(dá)、臺(tái)積電的腳步，進(jìn)行下一代產(chǎn)品量產(chǎn)的發(fā)展與生產(chǎn)。 ZDNet Korea報(bào)道稱，韓國(guó)中小型制造業(yè)正在配合英偉達(dá)和臺(tái)積電下一代技術(shù)的引進(jìn)，特別是在英偉達(dá)計(jì)劃于2025年正式發(fā)表的下一代B300 AI芯片。

發(fā)表于：1/2/2025

美光宣布投資21.7億美元提升美國(guó)特種DRAM產(chǎn)能

2025年1月1日消息，美光公司總裁Glenn Youngkin表示，美光公司計(jì)劃投資21.7億美元擴(kuò)建其在美國(guó)弗吉尼亞州馬納薩斯的半導(dǎo)體工廠，將提高其在美國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)能。該項(xiàng)目將升級(jí)該設(shè)施，為工業(yè)、汽車、航空航天和國(guó)防應(yīng)用生產(chǎn)專用DRAM存儲(chǔ)器，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造340個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

發(fā)表于：1/2/2025

授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件

　　2024年12月10日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商、專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創(chuàng)新解決方案的全球授權(quán)代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運(yùn)動(dòng)、繼電器、傳感器和開關(guān)解決方案制造商。貿(mào)澤有9500多種Same Sky創(chuàng)新產(chǎn)品開放訂購(gòu)，其中5500多種有現(xiàn)貨庫(kù)存。

發(fā)表于：12/31/2024

IAR C-SPY為VS Code社區(qū)樹立調(diào)試新標(biāo)準(zhǔn)

　　瑞典烏普薩拉，2024年12月5日 — 全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)軟件解決方案供應(yīng)商IAR宣布，對(duì)VS Code中的調(diào)試擴(kuò)展IAR C-SPY調(diào)試器進(jìn)行了重大升級(jí)。此次升級(jí)引入了IAR的Listwindow技術(shù)，進(jìn)一步提升了調(diào)試能力，使IAR C-SPY調(diào)試器在VS Code環(huán)境中成為嵌入式設(shè)備調(diào)試方面的全新標(biāo)桿。

發(fā)表于：12/31/2024

在校準(zhǔn)中使用埋入式齊納技術(shù)帶來(lái)極高精度優(yōu)勢(shì)

　　精密測(cè)試設(shè)備依靠精確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，確保所有測(cè)量結(jié)果都能準(zhǔn)確地反映受測(cè)器件的狀態(tài)。在測(cè)試和測(cè)量中，任何偏移誤差、增益誤差或有效位數(shù)減少都將對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生負(fù)面影響。然而，遺憾的是，在高精度系統(tǒng)中，所有這些誤差都無(wú)法完全避免。溫度漂移或長(zhǎng)期漂移等問(wèn)題最終會(huì)以增益誤差或偏移誤差的形式表現(xiàn)出來(lái)。因此必須進(jìn)行校準(zhǔn)，確保所有測(cè)量結(jié)果都是準(zhǔn)確的。

發(fā)表于：12/31/2024

Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET

　　美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。

發(fā)表于：12/31/2024

三星電子2nm制程初始良率優(yōu)于上代

12 月 31 日消息，韓媒 ChusunBiz 今日表示，三星電子正對(duì)下代 2nm 先進(jìn)制程進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試。報(bào)道指與上代開發(fā)進(jìn)程十分坎坷的 3nm 相比，2nm 制程的初始良率超出了預(yù)期。三星電子從本季度開始將 2nm 制造設(shè)備轉(zhuǎn)移至韓國(guó)京畿道華城市 S3 代工生產(chǎn)線，計(jì)劃于 2025 上半年啟動(dòng) 2nm 的試生產(chǎn)，目標(biāo)在明年內(nèi)正式推出 2nm 工藝；此外根據(jù)同美國(guó)政府達(dá)成的《CHIPS》法案補(bǔ)貼正式協(xié)議，三星的美國(guó)得州泰勒晶圓廠也將聚焦 2nm 制程。

發(fā)表于：12/31/2024

傳安謀科技CPU部門將裁員

12月30日消息，近日，有網(wǎng)友在某社交平臺(tái)爆料稱，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體IP大廠安謀科技（Arm中國(guó)）的CPU部門將裁員，目前該部門約30-40人，補(bǔ)償方案為“n+3”，年終獎(jiǎng)可正常發(fā)放，社保將會(huì)交到明年2月份。根據(jù)之前的資料顯示，安謀科技在深圳、上海、北京、成都等地共有員工約800人，研發(fā)團(tuán)隊(duì)占比85%，并累計(jì)申請(qǐng)?zhí)幚砥骱诵膶＠?00余項(xiàng)。研發(fā)產(chǎn)品覆蓋了SOC、HPC、CPU、AI、多媒體、ISP、VPU等。

發(fā)表于：12/31/2024

TrendForce預(yù)估2025年一季度一般型DRAM內(nèi)存合約價(jià)下跌

12 月 30 日消息，TrendForce 集邦咨詢表示，2025Q1 進(jìn)入 DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)淡季階段。在智能手機(jī)等需求持續(xù)萎縮、部分產(chǎn)品提前備貨的背景下，明年不計(jì)入 HBM 的一般型 DRAM 內(nèi)存合約價(jià)整體將出現(xiàn) 8%~13% 下滑，較本季度降幅擴(kuò)大 5 個(gè)百分點(diǎn)。

發(fā)表于：12/31/2024