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三星18nm PC存儲(chǔ)器良率出問(wèn)題緊急召回

三星近來(lái)狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問(wèn)題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過(guò)半，這次良率出問(wèn)題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外，也會(huì)讓價(jià)格已上揚(yáng)的PC DRAM價(jià)格再度飆高。

發(fā)表于：3/3/2017

基于數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的科學(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)

：如何節(jié)省在科學(xué)儀器設(shè)備管理工作中對(duì)數(shù)據(jù)分析投入的人力物力并提高管理效率是科技管理部門(mén)十分關(guān)注的問(wèn)題。利用數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)技術(shù)可以對(duì)現(xiàn)有的科學(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)進(jìn)行多維分析，以便有效利用分析數(shù)據(jù)輔助管理者決策。文章?lián)朔治隽丝茖W(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)源，提出了分析主題，通過(guò)模型設(shè)計(jì)、ETL功能以及OLAP功能的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的科學(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)研究證明了數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)技術(shù)在科學(xué)儀器設(shè)備管理上應(yīng)用的可行性，并為進(jìn)一步建立基于數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的科技數(shù)據(jù)決策支持系統(tǒng)打下了基礎(chǔ)。

發(fā)表于：3/2/2017

基于高維數(shù)據(jù)聚類(lèi)的制造過(guò)程數(shù)據(jù)分析平臺(tái)

隨著制造業(yè)領(lǐng)域工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，大量感知設(shè)備如同人體器官一樣，被部署到制造過(guò)程中的各個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)生著海量制造過(guò)程數(shù)據(jù)。針對(duì)這些海量制造過(guò)程數(shù)據(jù)，制造業(yè)領(lǐng)域越來(lái)越需要科學(xué)、敏捷、高效的數(shù)據(jù)分析平臺(tái)，為制造過(guò)程數(shù)據(jù)的分析提供智力支持和決策支持。針對(duì)這種需求，文章采用高維數(shù)據(jù)聚類(lèi)技術(shù)結(jié)合Spring、Mybatis等成熟的敏捷開(kāi)發(fā)框架，開(kāi)發(fā)了制造過(guò)程數(shù)據(jù)分析平臺(tái)。該設(shè)計(jì)不僅可以針對(duì)歷史數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，還可以實(shí)時(shí)監(jiān)控生產(chǎn)線上的動(dòng)態(tài)流程數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)分析和決策效率。

發(fā)表于：3/2/2017

英特爾 10 納米良率傳偏低量產(chǎn)延后

10 納米先進(jìn)制程良率低，英特爾、臺(tái)積電全球兩大晶圓廠先后都傳出有類(lèi)似問(wèn)題待克服。

發(fā)表于：3/2/2017

聯(lián)電14納米FinFET開(kāi)始量產(chǎn)

臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)電)宣布，該公司自主研發(fā)的14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶晶片量產(chǎn)階段。出貨給主要客戶的14納米量產(chǎn)晶圓，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水準(zhǔn)，此制程將幫助客戶開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。

發(fā)表于：3/2/2017

比NAND快千倍中芯國(guó)際瞄準(zhǔn)ReRAM？

比NAND閃存更快千倍 40納米R(shí)eRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長(zhǎng)的電池續(xù)航力，一來(lái)可節(jié)省維護(hù)成本、二來(lái)有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。

發(fā)表于：3/1/2017

芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈促成美國(guó)制造商抱團(tuán)

猶他州李海的IM Flash工廠座落于瓦薩奇山脈腳下，堪稱(chēng)美國(guó)高科技制造業(yè)的典范。在這家工廠，裝載著餐盤(pán)般大小硅片的機(jī)器人在天花板上穿梭，往來(lái)于巨大的機(jī)器之間。這些機(jī)器從顯微層面對(duì)原材料進(jìn)行蝕刻與沉積，制造世界上最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片。

發(fā)表于：3/1/2017

半導(dǎo)體制造增速首超設(shè)計(jì) 呼喚IDM龍頭

近日，國(guó)內(nèi)兩家最主要的半導(dǎo)體制造上市公司中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體前后發(fā)布2016年財(cái)報(bào)，業(yè)績(jī)均創(chuàng)新高，其中中芯國(guó)際2016 年銷(xiāo)售總額為29 億美元，收入同比上升 30.3%;華虹半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入7.214億美元，同比增長(zhǎng)11.0%。

發(fā)表于：3/1/2017

低開(kāi)銷(xiāo)片上網(wǎng)絡(luò)容錯(cuò)傳輸機(jī)制

隨著工藝的不斷進(jìn)步，片上網(wǎng)絡(luò)可靠性問(wèn)題越發(fā)嚴(yán)峻。為了平衡性能和功耗，研究者們提出了許多針對(duì)鏈路比特錯(cuò)誤的傳輸機(jī)制，提出了一種基于糾錯(cuò)編碼和重傳方案的傳輸機(jī)制，在此機(jī)制中，路由器只提供對(duì)包頭進(jìn)行檢驗(yàn)的檢錯(cuò)器，并重用網(wǎng)絡(luò)接口中的譯碼器對(duì)整個(gè)數(shù)據(jù)包進(jìn)行糾錯(cuò)。通過(guò)使用輕量級(jí)的檢錯(cuò)電路減少了硬件和功耗開(kāi)銷(xiāo)，并且保證時(shí)延開(kāi)銷(xiāo)與端到端和點(diǎn)到點(diǎn)的糾錯(cuò)方案相同。

發(fā)表于：2/28/2017

為先進(jìn)制程臺(tái)積電研發(fā)支出將增加15%

臺(tái)積電持續(xù)提升先進(jìn)制程技術(shù)，7納米制程預(yù)計(jì)第1季試產(chǎn)，明年開(kāi)始量產(chǎn)，今年資本支出將維持100億美元新高規(guī)模，尤其今年研發(fā)支出將增加15%。

發(fā)表于：2/27/2017

東芝64層堆疊FLASH 3D閃存出貨普及TB級(jí)SSD

據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。

發(fā)表于：2/23/2017

在計(jì)算機(jī)芯片布線加入石墨烯延續(xù)摩爾定律？

隨著集成電路越來(lái)越小型化，目前摩爾定律的存續(xù)命運(yùn)，似乎大多聚焦在硅晶體管的改良上。不過(guò)，逐漸有研究人員開(kāi)始從別的組成部分著手：例如連接各個(gè)晶體管形成復(fù)雜電路的銅線。而石墨烯在其中起到著關(guān)鍵作用。

發(fā)表于：2/22/2017

中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)2016年產(chǎn)值表現(xiàn)優(yōu)于全球

根據(jù)半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的最新數(shù)字，2016年第四季(16Q4)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售值達(dá)930億美元，較上季(16Q3)成長(zhǎng)5.4%，較前一年同期成長(zhǎng)12.3%；銷(xiāo)售量達(dá)2,177億顆，較上季成長(zhǎng)0.8%，較前一年度同期(15Q4)成長(zhǎng)11.7%；平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)為0.427美元，較上季成長(zhǎng)4.5%，較前一年度成長(zhǎng)0.5%。

發(fā)表于：2/22/2017

傳蘋(píng)果、微軟有意競(jìng)投東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

東芝因面對(duì)數(shù)10億美元減值撇賬，計(jì)劃進(jìn)行業(yè)務(wù)重組及擬出售旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)19.9%股權(quán)。日本媒體報(bào)導(dǎo)，蘋(píng)果公司及微軟等美國(guó)企業(yè)表達(dá)了競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

發(fā)表于：2/21/2017

Intel 3D XPoint閃存揭秘：20nm工藝

Intel、美光發(fā)布3D XPoint閃存已經(jīng)一年多了，號(hào)稱(chēng)性能、可靠性是NAND閃存的1000倍，容量密度是后者10倍，各種黑科技秒殺當(dāng)前的閃存水平。從去年底開(kāi)始有少量基于3D XPoint閃存的Optane硬盤(pán)問(wèn)世，消費(fèi)級(jí)容量是16/32GB，企業(yè)級(jí)有個(gè)375GB的DC P4800X系列，隨機(jī)性能確實(shí)很強(qiáng)大。

發(fā)表于：2/21/2017