EDA與制造相關文章 SK海力士三星電子HBM良率僅65% 據(jù)韓媒 DealSite 報道，SK 海力士、三星電子今年針對 HBM 內(nèi)存大幅擴產(chǎn)。不過 HBM 內(nèi)存有著良率較低等問題，難以跟上 AI 市場相關需求。 作為 AI 半導體市場搶手貨的 HBM 內(nèi)存，其采用晶圓級封裝（WLP）：在基礎晶圓上通過 TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內(nèi)存晶圓，其中一層 DRAM 出現(xiàn)問題就意味著整個 HBM 堆棧的報廢。 發(fā)表于：3/5/2024 AI浪潮帶動存儲芯片再進化 全球產(chǎn)業(yè)數(shù)位化，數(shù)位資料規(guī)模攀升，加上AI技術興起，全球對資料處理、大數(shù)據(jù)分析與AI應用的需求快速增長，間接提高對支援高效能運算（HPC）與AI運算的硬體裝置及芯片要求。以云端資料中心伺服器來說，HPC與AI運算需求下，需要搭配升級的芯片包含作為運算核心的中央處理器（CPU）與圖形處理器（GPU）、伺服器基板管理芯片（BMC）、電源管理芯片（PMIC）、高速傳輸芯片，以及存儲等。 其中，存儲除用于長期儲存資料、屬于非揮發(fā)性存儲的NAND Flash固態(tài)硬盤（SSD），也包含用于即時高速運算暫存資料、屬于揮發(fā)性存儲的靜態(tài)隨機存取存儲（SRAM）與動態(tài)隨機存取存儲（DRAM）。 發(fā)表于：3/5/2024 使用大面積分析提升半導體制造的良率 設計規(guī)則檢查 （DRC） 技術用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設計規(guī)則通常根據(jù)所使用設備和工藝技術的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會導致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過量或其他器件故障。 發(fā)表于：3/4/2024 芯原業(yè)界領先的嵌入式GPU IP賦能先楫高性能的HPM6800系列RISC-V MCU 2024年3月4日，中國上海——芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）今日宣布先楫半導體（簡稱“先楫”）的HPM6800系列新一代數(shù)字儀表顯示及人機界面系統(tǒng)應用平臺采用了芯原的高性能2.5D圖形處理器（GPU）IP。 發(fā)表于：3/4/2024 全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在中國下線 湖北九峰山實驗室（JFS）近日官宣，2024 年 2 月 20 日，全球首片 8 寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。 發(fā)表于：3/4/2024 美國半導體芯片重鎮(zhèn)遭重挫：出口損失57億美元 美國半導體芯片重鎮(zhèn)遭重挫：出口損失57億美元！Intel有三座廠 發(fā)表于：3/4/2024 印度政府批準152億美元芯片工廠投資計劃 印度電子和信息技術部部長阿什維尼·維什瑙當?shù)貢r間2月29日宣布，印度政府批準價值152億美元的半導體制造廠投資計劃，其中包括塔塔集團建設該國首座大型芯片制造廠的方案。 具體而言，塔塔集團將與力積電合作，在古吉拉特邦Dholera建立印度第一家芯片制造廠，投資規(guī)模9100億盧比；塔塔集團子公司塔塔半導體組裝和測試將在阿薩姆邦建立價值2700億盧比的芯片封裝廠；印度企業(yè)集團Murugappa旗下CG Power將與日本瑞薩電子和泰國Stars Microelectronics合作，在古吉拉特邦建設規(guī)模760億盧比的芯片封裝廠。 維什瑙稱，這些工廠將在未來100天內(nèi)開建，投產(chǎn)后將為印度國防、汽車和電信等行業(yè)制造和封裝芯片。 發(fā)表于：3/4/2024 是德科技與 Intel Foundry 強強聯(lián)手 是德科技（NYSE: KEYS ）近日宣布，RFPro 電磁（EM）仿真軟件作為是德科技 EDA 先進設計系統(tǒng)（ADS）綜合工具套件中的一員，現(xiàn)已通過 Intel Foundry 認證，可幫助設計工程師開發(fā)采用 Intel 18A 工藝技術的設計。射頻集成電路（RFIC）設計團隊可結合使用這一全新的 EM 仿真功能和用于 Intel 18A 電路和物理設計的工藝設計套件（PDK），一次性設計出成功的產(chǎn)品。 發(fā)表于：3/1/2024 Counterpoint：2023年全球半導體行業(yè)收入下降8.8% 2023年是半導體公司微調戰(zhàn)略/前景和管理庫存調整的一年，為即將到來的人工智能熱潮做好準備。根據(jù)Counterpoint的半導體收入跟蹤，全球前20大半導體供應商中只有6家報告收入同比增長。尤其是內(nèi)存行業(yè)，經(jīng)歷了強勁的逆風，2023年的收入同比下降了43%。全球前20大半導體供應商的市場份額為71%，低于2022年的76%，收入同比下降14%。 發(fā)表于：3/1/2024 三星開始量產(chǎn)1TB microSD卡 2 月 29 日消息，三星宣布，目前正在對其 256GB SD Express microSD 卡進行采樣測試，并透露已開始量產(chǎn) 1TB UHS-1 microSD 卡。 據(jù)悉，三星的 SD Express 卡讀取速度高達 800MB/s，這比 SATA SSD（最高 560MB/s）還要快，是傳統(tǒng) UHS-1 存儲卡（最高 200MB/s）的四倍。 發(fā)表于：3/1/2024 印度批準1093.65億元芯片工廠投資計劃 力積電協(xié)助建廠 印度批準1093.65億元芯片工廠投資計劃 力積電協(xié)助建廠 印度電子和信息技術部部長阿什維尼·維什瑙宣布，印度政府已批準一項價值152億美元的半導體制造廠投資計劃。該計劃旨在推動印度半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高芯片制造能力，并預計在未來100天內(nèi)開工建設。 發(fā)表于：3/1/2024 奔馳放棄全電動車計劃 歐洲人對電動車也興趣不大 奔馳放棄全電動車計劃 歐洲人對電動車也興趣不大 發(fā)表于：3/1/2024 蘋果已基于臺積電下一代2nm工藝開展芯片研發(fā)工作 領英上一名認證為蘋果員工的賬戶顯示，蘋果公司已經(jīng)開始設計基于臺積電 2nm 工藝的芯片，而他恰恰就參與到了該項目中。 發(fā)表于：2/29/2024 HBM被韓國列入國家戰(zhàn)略技術，最高抵免50% 韓國企劃財政部公布了《2023年稅法修正案后續(xù)執(zhí)行規(guī)則修正案草案》，旨在對被納入韓國國家戰(zhàn)略技術的高帶寬存儲器（HBM）、有機發(fā)光二極管（OLED）和氫相關設施，進一步擴大稅收支持。 該執(zhí)行規(guī)則的修訂將于近期公布，隨后經(jīng)與韓國各部委協(xié)商并經(jīng)政府立法部審查后頒布實施。 發(fā)表于：2/29/2024 ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機實現(xiàn)“初次曝光”里程碑 2 月 28 日消息，英特爾技術開發(fā)負責人 Ann Kelleher 在周二于圣何塞舉行的 SPIE 光刻會議上提到他們已經(jīng)在 ASML 新型高數(shù)值孔徑 (High NA) EUV 光刻機上實現(xiàn)了“初次曝光”里程碑，而 ASML 也進行了證實，并表示接下來將繼續(xù)測試和調整該系統(tǒng)，使其能夠發(fā)揮其全部性能。 發(fā)表于：2/29/2024 ?…162163164165166167168169170171…?
