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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

一種離線式LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

作為一種新型的節(jié)能、環(huán)保的綠色光源產(chǎn)品，LED擁有廣闊的市場(chǎng)前景。市場(chǎng)現(xiàn)階段已經(jīng)出現(xiàn)上千款LED驅(qū)動(dòng)IC。其中我們遇到比較多的是單芯片線路結(jié)構(gòu)(圖1a)。

發(fā)表于：6/18/2011

ZVS移相全橋控制器UCC3895及其應(yīng)用

UCC3895芯片是Texaslnstruments公司生產(chǎn)的專用于PWM移相全橋DC／DC變換器的新型控制芯片。它在UC3875(79)系列原有功能的基礎(chǔ)上增加了自適應(yīng)死區(qū)設(shè)置和PWM軟關(guān)斷能力，這樣就適應(yīng)了負(fù)載變化時(shí)不同的準(zhǔn)諧振軟開關(guān)要求。同時(shí)由于它采用了BICMOS工藝，使得它的功耗更小，工作頻率更高，因而更加符合電力電子裝置高效率、高頻率、高可靠的發(fā)展要求。通過(guò)不同的外圍電路設(shè)置，既可工作于電壓模式，也可工作于電流模式，并且軟啟動(dòng)／軟停止可按要求進(jìn)行調(diào)節(jié)。

發(fā)表于：6/18/2011

電子電路設(shè)計(jì)中EMC/EMI的模擬仿真[圖]

為了保證設(shè)計(jì)的PCB板具有高質(zhì)量和高可靠性，設(shè)計(jì)者通常要對(duì)PCB板進(jìn)行熱溫分析，機(jī)械可靠性分析。由于PCB板上的電子器件密度越來(lái)越大，走線越來(lái)越窄，信號(hào)的頻率越來(lái)越高，不可避免地會(huì)引入EMC(電磁兼容)和EMI(電磁干擾)的問(wèn)題，所以對(duì)電子產(chǎn)品的電磁兼容分析顯得特別重要。與IC設(shè)計(jì)相比，PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中的EMC分析和模擬仿真是一個(gè)薄弱環(huán)節(jié)。

發(fā)表于：6/18/2011

電源設(shè)計(jì)小貼士 33：注意 SEPIC 耦合電感回路電流——第 2 部分

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們繼續(xù)《電源設(shè)計(jì)小貼士 #32—第1 部分》的討論，即如何確定SEPIC 拓?fù)渲旭詈想姼械穆╇姼幸蟆Ｇ懊?，我們討論了耦合電容器AC 電壓被施加于耦合電感漏電感的情況。漏電感電壓會(huì)在電源中引起較大的回路電流。在第2 部分中，我們將介紹利用松散耦合電感和緊密耦合電感所構(gòu)建電源的一些測(cè)量結(jié)果。

發(fā)表于：6/17/2011

用于AD2S1210旋變數(shù)字參考信號(hào)輸出的高電流驅(qū)動(dòng)器

旋變數(shù)字轉(zhuǎn)換器(RDC)廣泛用于汽車和工業(yè)應(yīng)用中，用來(lái)提供電機(jī)軸位置/速度反饋信息。

發(fā)表于：6/17/2011

何種應(yīng)用條件要考慮MOSFET雪崩能量

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。這里將論述這些問(wèn)題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。

發(fā)表于：6/17/2011

0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)[圖]

基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。

發(fā)表于：6/17/2011

白光LED背光源驅(qū)動(dòng)在液晶電視中的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

　以白光LED 作為背光源的液晶電視正逐步取代當(dāng)前占市場(chǎng)主流的CCFL背光源液晶電視。盡顯LED 背光電視的超薄，長(zhǎng)壽命，環(huán)保，節(jié)能燈優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于CCFL 背光源，白光LED 背光源具有以下優(yōu)勢(shì)：

發(fā)表于：6/17/2011

電源設(shè)計(jì)小貼士 32：注意 SEPIC 耦合電感回路電流—第 1 部分

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將確定SEPIC 拓?fù)渲旭詈想姼械囊恍┞╇姼幸蟆Ｔ诓灰笾骷?jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC 是一種非常有用的拓?fù)洹Ｔ谝蠖搪冯娐繁Ｗo(hù)時(shí)，我們可以使用它來(lái)代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流，從而帶來(lái)較低的電磁干擾(EMI)。這種拓?fù)洌ㄈ鐖D1 所示）可使用兩個(gè)單獨(dú)的電感（或者由于電感的電壓波形類似），因此還可以使用一個(gè)耦合電感，如圖所示。因其體積和成本均小于兩個(gè)單獨(dú)的電感，耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對(duì)全部可能的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。

發(fā)表于：6/17/2011

R&S在頻譜儀FSVR和FSV電磁兼容診斷功能

羅德與施瓦茨在實(shí)時(shí)頻譜儀R&SFSVR和信號(hào)分析儀R&SFSV平臺(tái)上增加了新的EMI測(cè)試應(yīng)用選件R&SFSV-K54。此選件可讓頻譜儀的用戶用來(lái)進(jìn)行EMC診斷測(cè)試和預(yù)兼容測(cè)試。

發(fā)表于：6/17/2011

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