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三星計劃大幅降低HBM3e價格以吸引英偉達
發(fā)表于：8/1/2025 8:41:58 AM
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美國對歐盟生產的半導體設備免征15%關稅
發(fā)表于：7/31/2025 9:14:39 AM
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特斯拉借三星合作低成本介入晶圓代工市場
發(fā)表于：7/30/2025 10:06:00 AM
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消息稱三星電子重新考慮在美國得州泰勒建設先進封裝產線
發(fā)表于：7/30/2025 10:06:00 AM
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消息稱三星計劃為Exynos 2600處理器率先導入HPB技術
發(fā)表于：7/30/2025 9:51:27 AM
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LG顯示首次向三星轉讓LCD顯示專利
發(fā)表于：7/30/2025 9:22:02 AM
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三星拿到高通最強Soc首發(fā)權
發(fā)表于：7/29/2025 9:22:00 AM
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三星與特斯拉達成165億美元芯片供應協(xié)議
發(fā)表于：7/28/2025 1:44:39 PM
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全球首款2nm芯片測試成績出爐
發(fā)表于：7/28/2025 9:44:53 AM
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三大巨頭停產引發(fā)搶貨潮 國產存儲緊急重啟DDR4產線
發(fā)表于：7/25/2025 10:12:41 AM
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傳高通并未放棄雙代工策略
發(fā)表于：7/24/2025 10:52:01 AM
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消息稱三星2018年錯失與英偉達CUDA綜合深度合作良機
發(fā)表于：7/23/2025 11:52:17 AM
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目標良率70% 三星全力備戰(zhàn)2nm GAA工藝
發(fā)表于：7/23/2025 10:13:01 AM
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消息稱三星將在本月向AMD與英偉達等提供HBM4樣品
發(fā)表于：7/22/2025 11:31:00 AM
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傳三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量產
發(fā)表于：7/21/2025 8:58:00 AM
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美國ITC裁決三星勝訴 京東方OLED遭遇禁售風險
發(fā)表于：7/16/2025 11:27:10 AM
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Intel 18A工藝良率已超越三星2nm
發(fā)表于：7/14/2025 11:51:29 AM
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銷路不佳 三星HBM3E內存產量砍半
發(fā)表于：7/7/2025 2:25:00 PM
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消息稱高通已取消三星2nm工藝代工計劃
發(fā)表于：7/7/2025 1:06:55 PM
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三星電子晶圓代工部門被取消2025上半年績效獎勵
發(fā)表于：7/7/2025 9:20:39 AM
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三星承認尖端制程競爭力不足
發(fā)表于：7/4/2025 3:39:36 PM
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三星美國泰勒晶圓廠因缺單開業(yè)時間推遲至明年
發(fā)表于：7/4/2025 9:37:35 AM
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三星收購部分英特爾半導體專利權
發(fā)表于：7/3/2025 1:07:14 PM
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三星電子計劃明年3月啟動第十代4xx層V-NAND量產線建設
發(fā)表于：7/3/2025 11:23:02 AM
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三星代工低價搶到2nm版高通驍龍8 Elite 2
發(fā)表于：7/2/2025 2:59:00 PM
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消息稱三星代工調整戰(zhàn)略 1.4nm量產計劃將推遲
發(fā)表于：7/2/2025 2:30:02 PM
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三星電子加入SOCAMM內存模塊戰(zhàn)場
發(fā)表于：7/2/2025 10:56:19 AM
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HBM內存價格戰(zhàn)風雨欲來
發(fā)表于：7/2/2025 9:35:38 AM
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三星電子1c nm DRAM內存工藝開發(fā)完成
發(fā)表于：7/1/2025 1:13:16 PM
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消息稱三星SF2P下一代2nm工藝優(yōu)先供應外部客戶
發(fā)表于：6/30/2025 1:19:30 PM
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