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2025Q3數(shù)據(jù)中心GPU出貨環(huán)比暴增145%

2025Q3數(shù)據(jù)中心GPU出貨環(huán)比暴增145%

11 月 25 日消息，機構(gòu) Jon Peddie Research (JPR) 當?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其 2025Q3 市場觀察報告，上季度全球數(shù)據(jù)中心 GPU 出貨規(guī)模環(huán)比增幅達 145%，而 PC GPU（含獨顯與核顯）出貨則呈現(xiàn)溫和增長態(tài)勢，環(huán)比 +2.5%、同比 +4%。

深圳：正在加快設立百億級半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金

10月14日，深圳市政府新聞辦舉行新聞發(fā)布會，介紹“2024灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會”相關(guān)情況。深圳市發(fā)展改革委副主任朱云在會上宣布，深圳正在加快設立百億級半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，并推動一批集成電路項目獲批2024年地方政府專項債。

發(fā)表于：10/15/2024

紫光國微董事長和副董事長辭職

10月14日晚間，紫光國微發(fā)布公告稱，公司董事會于近日收到董事長馬道杰、副董事長謝文剛的書面辭職報告。馬道杰因工作調(diào)整辭去董事長職務，仍繼續(xù)擔任董事職務；謝文剛因工作調(diào)整辭去副董事長職務，繼續(xù)擔任董事、總裁職務。根據(jù)相關(guān)規(guī)定，辭職報告自送達董事會之日起生效。

發(fā)表于：10/15/2024

三星或?qū)BM產(chǎn)能目標下調(diào)至每月17萬顆

據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已將2025年底HBM(高帶寬內(nèi)存)最大產(chǎn)能(CAPA)目標降低10%以上，從原來的每月20萬顆下調(diào)至每月17萬顆。鑒于向主要客戶的量產(chǎn)供應被推遲，三星似乎對其尖端的HBM設備投資計劃采取了保守的態(tài)度。為增強半導體競爭力，該公司還將直接派遣研發(fā)人員到工廠，改善與一線生產(chǎn)團隊的溝通和協(xié)作。直到去年第二季度，三星電子還計劃在2024年年底將HBM的產(chǎn)能提高至每月14萬至15萬片，并在2025年年底提高至每月20萬片。這一結(jié)果反映了其主要競爭對手增加HBM產(chǎn)量的應對策略，以及英偉達等主要客戶的質(zhì)量測試即將完成的積極前景。

發(fā)表于：10/15/2024

英特爾本周進入裁員高峰期

英特爾本周進入裁員高峰期！

發(fā)表于：10/15/2024

蘋果三折疊和四折疊手機專利曝光

蘋果三折疊、四折疊手機專利曝光

發(fā)表于：10/14/2024

TrendForce預測2024年第四季度DRAM價格漲幅放緩

TrendForce預測2024年第四季度DRAM價格漲幅放緩，需求主要靠AI服務器維持

發(fā)表于：10/14/2024

英偉達未來12個月的Blackwell GPU已全部售罄！

英偉達未來12個月的Blackwell GPU已全部售罄！

發(fā)表于：10/14/2024

imec與Arm等歐洲公司簽署汽車Chiplet計劃

imec與Arm、BMW、Bosch等歐洲公司簽署汽車小芯片計劃

發(fā)表于：10/14/2024

超低雜散多級反饋帶通濾波器設計

針對于高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的測試和測量中，高質(zhì)量的帶通濾波器是非常關(guān)鍵的部分，然而，使用無源元器件實現(xiàn)低頻高質(zhì)量的濾波器需要大電感，尺寸和成本都令人望而卻步。采用高性能全差分音頻放大器OPA1632D設計了六階有源1 kHz帶通濾波器。該帶通濾波器采用多級反饋設計，原理結(jié)構(gòu)簡單，設計成本低廉，使用TINA-TI仿真測試效果較好，實際應用于高性能模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器AD7961前端濾波測試，SNR與SFDR動態(tài)指標接近手冊理論值。仿真和實踐證明該濾波器的設計滿足高精度的數(shù)據(jù)采集前端濾波的使用需求。

發(fā)表于：10/12/2024

面向密碼芯片設計階段的仿真?zhèn)刃诺腊踩苑治龇椒ㄑ芯?/a>

密碼芯片是密碼算法實現(xiàn)的重要載體，在信息系統(tǒng)中承擔了加解密、簽名、認證等功能，側(cè)信道分析是檢測密碼芯片安全性的重要手段，當前行業(yè)內(nèi)通常采用專用設備進行側(cè)信道分析，該方法存在發(fā)現(xiàn)時間晚、修復成本高、硬件設備昂貴等問題。研究面向密碼芯片設計階段的能量采集與側(cè)信道分析方法，采用EDA工具在設計階段對密碼芯片的RTL代碼進行功能仿真，通過分析仿真生成的波形記錄文件，實現(xiàn)對能量跡的模擬和采集。采用Welch t檢驗、KL散度和相關(guān)能量分析方法，實現(xiàn)了對芯片RTL代碼的泄漏檢測、泄漏定位和側(cè)信道攻擊。通過對AES-128 RTL設計的仿真實驗，證明了該方法能夠正確地反映能量泄漏情況，且能夠在不借助專用硬件設備的條件下實現(xiàn)對密碼芯片早期設計階段的側(cè)信道泄漏安全風險檢測。

發(fā)表于：10/12/2024

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