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英特爾牽手英偉達臺積電AMD和Arm悲喜不同

英特爾牽手英偉達臺積電AMD和Arm悲喜不同

當?shù)貢r間周四（9月18日），英偉達宣布將向英特爾投資50億美元，并與其聯(lián)合開發(fā)PC與數(shù)據(jù)中心芯片。未來，英特爾將在即將推出的PC芯片中采用英偉達的圖形技術，并為基于英偉達硬件的數(shù)據(jù)中心產品提供處理器。兩家公司未透露首批產品的上市時間，并強調現(xiàn)有的產品規(guī)劃不受影響。英特爾牽手英偉達臺積電AMD和Arm悲喜不同

英特爾：32G將成AI PC入門級標配

3月21日消息，日前，2024中國閃存市場峰會在深圳舉行，本屆峰會主題為“存儲周期激發(fā)潛能”。據(jù)媒體報道，英特爾中國區(qū)技術部總經理高宇在峰會上表示，未來入門級AI PC一定是標配32G內存，當前16G內存一定會被淘汰。

發(fā)表于：3/21/2024

國內首枚，硅臻芯片量子芯片通過國家商密檢測

國內首枚，硅臻芯片量子芯片通過國家商密檢測

發(fā)表于：3/21/2024

更快更?。∪嵌鶴LC閃存技術公開：速度直接翻倍！

更快更??！三星二代QLC閃存技術公開：速度直接翻倍！ 3 月 21 日消息，根據(jù)三星半導體近日在官方公眾號公布的新品線路圖顯示，三星將計劃推出 UFS 4.0 以及 UFS 5.0。

發(fā)表于：3/21/2024

三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲模組

3 月 21 日消息，據(jù)三星半導體微信公眾號發(fā)布的中國閃存市場峰會 2024 簡報，其正研發(fā) CMM-H 混合存儲 CXL 模組。該模組同時包含 DRAM 內存和 NAND 閃存。作為一種新型高速互聯(lián)技術，CXL 可提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量和更低的傳輸延遲，可在 CPU 和外部設備間建立高效連接。根據(jù)三星給出的圖示，這一模組可經由 CXL 界面直接在閃存部分和 CPU 之間傳輸塊 I / O，也可經由 DRAM 緩存和 CXL 界面實現(xiàn) 64 字節(jié)的內存 I / O 傳輸。

發(fā)表于：3/21/2024

多源極軌衛(wèi)星微波溫度計資料實時區(qū)域同化系統(tǒng)

基于中尺度數(shù)值預報模式WRF和WRFDA同化系統(tǒng)，實現(xiàn)多源極軌衛(wèi)星微波溫度計資料實時區(qū)域同化，并對同化產品進行評估和應用。2018年同化試驗結果表明：通過質量控制和偏差訂正，AMSU-A資料第5~9通道亮溫觀測增量O-B（觀測值O和背景場的正演輻射模擬值B的差值）的標準差有效降低，同化后各通道亮溫分析殘差O-A（觀測值O和分析場的正演輻射模擬值A的差值）的標準差有效降低。同化預報產品被應用在暴雨強對流個例和臺風個例中，取得良好效果。

發(fā)表于：3/20/2024

基于改進YOLOv5的路面裂縫檢測方法

針對現(xiàn)有裂縫檢測模型體積較大且檢測精度不高的問題，提出一種基于輕量化網絡的無人機航拍圖像裂縫檢測方法。首先，使用MobileNetv3網絡替代YOLOv5的主干網絡，降低模型大??；其次，引入C3TR和CBAM模塊提高網絡表征能力，將損失函數(shù)替換為EIOU以提高模型的魯棒性。實驗結果表明，該方法在自制數(shù)據(jù)集上獲得98.9%的精度，相較于原始YOLOv5提高1.2%，模型大小減小51.5%，檢測速度提高37%。改進后的模型在精度、大小和速度上均優(yōu)于Faster-RCNN等4種常見裂縫檢測模型，滿足了裂縫檢測的實時性、輕量化和精度需求。

發(fā)表于：3/20/2024

華為自研存儲細節(jié)曝光：功耗、速度完秒SSD

3月20日消息，據(jù)國外媒體報道稱，華為正在積極研發(fā)一種前沿的“磁電”存儲技術，該技術有望徹底改變數(shù)據(jù)存儲行業(yè)的格局。據(jù)悉，這種新型“磁電磁盤”（MED）技術不僅在速度上遠超現(xiàn)有的SSD等存儲設備，更在能效和容量上實現(xiàn)了前所未有的突破。在能耗方面，新型“磁電”存儲每PB耗電僅為71W，相比傳統(tǒng)的磁性硬盤驅動器（HDD）節(jié)能高達90%，這無疑為數(shù)據(jù)中心和大型企業(yè)節(jié)省了大量的能源成本。在性能方面，華為預計每機架的MED性能將達到驚人的8GB/s，這一速度比檔案磁帶裝置的最高性能提升了2.5倍。這將極大地提升數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)遷移速度，使其在處理大規(guī)模

發(fā)表于：3/20/2024

華碩推出基于英偉達MGX的數(shù)據(jù)中心解決方案

華碩推出基于英偉達 MGX 的數(shù)據(jù)中心解決方案，滿足 AI 人工智能服務器需求

發(fā)表于：3/20/2024

RTX 50升級臺積電4NP工藝：但其實還是5nm

3月20日消息，NVIDIA剛發(fā)布的B100/B200 AI GPU將制造工藝從4N升級到4NP，集成晶體管也從800億個增加到1040億個/2080億個，而同樣基于Blackwell架構的RTX 50系列游戲GPU也會同步跨越。

發(fā)表于：3/20/2024

三星正打造全新的PB級別SSD存儲方案

3月19日消息，三星宣布，正在打造全新的PB級別SSD存儲方案，也就是PBSSD，容量將達到跨越式的1PB左右，相當于1000TB。三星并未透露具體如何實現(xiàn)PBSSD，只是說將會利用其開發(fā)的FDP(Flexible Data Placement)技術，可以翻譯為彈性數(shù)據(jù)安置，已經被采納為NVMe技術標準。它可以強化數(shù)據(jù)的存儲能力，從而提高性能和可預見性，更好地滿足超大規(guī)模工作負載的需求，尤其是配合超強算力的AI GPU。事實上，三星這一番表態(tài)，就是在NVIDIA GTC大會上做出的，后者剛發(fā)布了新一代高性能GPU B100/B200和超級芯片GB200。

發(fā)表于：3/20/2024

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