據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報道，尼康將與美國英特爾(微博)聯(lián)手開發(fā)新一代半導體制造核心的曝光設備。
據(jù)悉，新設備將通過在更大尺寸的半導體晶圓上繪制電路，將生產(chǎn)成本降低一半，目標是2018年投入實際生產(chǎn)。英特爾將承擔數(shù)百億日元的開發(fā)費用。尼康是該設備領域的全球第2大廠商。此次將通過其最大客戶英特爾的資金支持加速開發(fā)進程。
半導體曝光設備領域占全球8成份額的荷蘭阿斯麥(ASML)也獲得了英特爾的出資等援助，剛剛達成了最高可達41億美元的資本合作。半導體廠商和設備廠商間的合作日趨密切。
此次尼康和英特爾要開發(fā)的半導體晶圓曝光設備，將可支持的晶圓直徑由目前的300毫米加大到了450毫米。1枚450毫米晶圓可生產(chǎn)的半導體芯片數(shù)量會增加1倍，因此生產(chǎn)成本可以降低一半。尼康希望通過與英特爾聯(lián)手，比阿斯麥更快推出新一代曝光設備。
英特爾則希望通過與兩大制造設備廠商加強合作來提高尖端技術的開發(fā)能力，從而在半導體領域保持領先地位。今后，全球第2大半導體廠商韓國三星(微博)電子和日本半導體廠商也很有可能加強與半導體設備廠商間的合作。(蕭然)
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