南韓為穩(wěn)固全球記憶體龍頭地位，在產(chǎn)業(yè)通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業(yè)為投資要角的產(chǎn)官學新合作研發(fā)模式，亦將次世代非揮發(fā)性記憶體與新興材料、技術列為研發(fā)重點。

　　2013~2017年南韓將引進由政府與企業(yè)共同提供資金給學術機構研發(fā)的新合作模式，研發(fā)成果的智財權將由學術機構擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業(yè)運用的可能性。

　　觀察2013~2017年南韓列為研發(fā)重點的5項記憶體相關技術，包括相變化記憶體(Phase-change Random Access Memory;PRAM)等新興非揮發(fā)性記憶體，及有助提升記憶體運算效能的銅/石墨烯積層構造技術、三五族通道材料、穿隧式場效電晶體(Tunnel Field Effect Transistor;TFET)、光學內部連結等技術。

　　透過研發(fā)新興記憶體相關材料與技術，南韓計劃開發(fā)高附加價值型記憶體核心技術，除朝穿戴式裝置擴大應用范圍外，更將提升容量與增添功能，并降低功耗以符合行動應用低功耗需求。

　　為平衡三星與南韓封測、IC設計公司等中小型企業(yè)間的差距，在南韓政府主導下，如三星等大企業(yè)于半導體領域有閑置廠房、設備或智財權，將可移轉給南韓中小企業(yè)使用，此將有利促成南韓大型企業(yè)與中小型企業(yè)共同成長。

　　由于南韓自2012年起已推動將奈米碳管等技術應用于后(Post)互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)型次世代半導體的奈米相關計畫，為避免資源浪費，南韓已著手協(xié)調奈米相關計畫與半導體計畫的負責單位協(xié)議組成新團 體，以促使成果相互連結。

　　DIGITIMES Research觀察，南韓為穩(wěn)固全球記憶體龍頭地位，不僅將重點放在研發(fā)新技術上，亦將透過研發(fā)成果及大企業(yè)閑置資產(chǎn)可由南韓中小型企業(yè)運用的方式，促成大型與中小型企業(yè)平衡發(fā)展，以避免資源過度集中的情形。

　　南韓次世代記憶體材料研發(fā)計畫預計投入金額及重點項目